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非晶态硅型平板探测器(非晶态硅型平板探测器原理)

来源:www.haichao.net  时间:2023-01-12 19:27   点击:115  编辑:admin   手机版

1. 非晶态硅型平板探测器原理

1.第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅,在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用,硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。 2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。 3.第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

2. 非晶硅平板探测器的特性

CMOS探测器

第一部为闪烁体实现将辐射转换为光信号;

第二部分为CMOS感光成像器件,负责将光信号转换为电信号;

第三部分为后续电路,测量电信号,实现对辐射的探测。

核心元件CMOS负责实现对光信号的转换和探测。

光生电荷按一定相位顺序加上时钟脉冲时按一定的方向转移就形成图像视频信号。

非晶硅射线探测器

由闪烁体、非晶硅层(光电二极管阵列)、TFT阵列(大面积薄膜晶体管阵列)构成。

闪烁体将辐射转换为光,非晶硅层将光转换为电信号,TFT阵列实现信号的读出,供给后续测量电路

3. 单晶硅平板探测器

X射线衍射仪是用辐射探测器或计数器来测定和记录照射物质的X射线衍射线方向和强度,并以此确定物质相组成、含量和结构的仪器。它由X射线源、测角仪、探测器、检测记录装置等组成。一般还附有计算机系统及高低温装置。依所测试样状态可分为粉晶X射线衍射仪(又称多晶X射线衍射仪)和单晶衍射仪。

4. 非晶硅平板探测器工作原理

在计算机控制下直接进行数字化X线摄影的一种新技术,即采非晶硅平板探测器把穿透人体的X线信息转化为数字信号,并由计算机重建图像及进行一系列的图像后处理。通俗一点说,传统的X射线拍片是胶卷照相机,DR就是数码照相机。

5. 非晶硅平板探测器成像原理

非晶硒和非晶硅平板探测器的区别在于

1、结构不同。非晶硅平板探测器的结构主要是由闪烁体和感光体(具有光电二极管作用的非晶硅层)集成在一起再加TFT阵列构成;非晶硒平板探测器的结构主要是由非晶硒层加TFT阵列构成。

2、A/D转换原理不同。非晶硅原理是闪烁体经X射线曝光后,将X射线光子转换为可见光,而后由具有光电二极管作用的非晶硅层变为图像电信号,通过TFT检测阵列,再经A/D转换最终获得数字化图像;非晶硒原理是非晶硒层经X射线曝光后直接产生电信号,通过TFT检测阵列,再经A/D转换最终获得数字化图像。

3、荧光材料层和探测元阵列层的不同。非晶硒平板探测器要比非晶硅平板探测器在图像质量上更清晰,锐利度更好。

4、非晶硒平板探测器在使用过程中对工作环境要求非常高,寿命短,故障率高,而且维护成本远大于非晶硅平板探测器,因此目前市场上平板探测器以非晶硅平板占主导位置。

平板主要是非晶硅平板探测器和非晶硒平板探测器,非晶硅是间接成像,技术成熟,GPS都在用。非晶硒是真正意义上的直接成像,那这两者所区别。

平板探测器构成的DR主要分为两种:一种是非晶硅平板探测器,属于间接能量转;另一种是非晶硒平板探测器,属于直接能量转换方式。

6. 非晶态硅型平板探测器原理是什么

1.第一代半导体材料主要是指硅(Si)、锗元素(Ge)半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅,在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用,硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。 2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb);三元化合物半导体,如GaAsAl、GaAsP;还有一些固溶体半导体,如Ge-Si、GaAs-GaP;玻璃半导体(又称非晶态半导体),如非晶硅、玻璃态氧化物半导体;有机半导体,如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。 3.第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面,根据第三代半导体的发展情况,其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域,每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域,宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

7. 非晶态硅型平板探测器原理视频

红外探测仪能找到夜视不发光摄像头,利用红外灯发出红外线照射物体,红外线漫反射,被监控摄像头接收,形成视频图像。监控器红外夜视:夜晚摄像头红外灯工作监控画面为黑白画面,白天效果为彩色画面,夜晚摄像头白光灯工作,监控画面为全彩画面,画面真实,白天效果为彩色。

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