1. 光刻机为什么要用波长更短的光
曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。
常见光源分为:
紫外光（UV），g线：436nm;i线：365nm
深紫外光（DUV）,KrF 准分子激光：248 nm, ArF 准分子激光：193 nm
极紫外光（EUV），10 ~ 15 nm
对光源系统的要求
a.有适当的波长。波长越短，可曝光的特征尺寸就越小；[波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，刻蚀对于精度控制要求越高，因为衍射现象会更严重。]
b.有足够的能量。能量越大，曝光时间就越短；
c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
常用的紫外光光源是高压弧光灯（高压汞灯），高压汞灯有许多尖锐的光谱线，经过滤光后使用其中的g 线（436 nm）或i 线（365 nm）。
对于波长更短的深紫外光光源，可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光（248 nm）、ArF 准分子激光（193 nm）和F2准分子激光（157 nm）等。
曝光系统的功能主要有：平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。
2. 光刻机为什么越小越好
芯片里面的单位纳米其实就是一个计量单位，纳米指的是芯片的长度单位，芯片纳米的数字越小就代表越先进。纳米是很小的，1纳米大约等于4个原子大小，人眼也是无法看到的。
纳米芯片做的小并非只是为了降低功耗，芯片的线路越小，其二进制开关所需要克服的电容效应越小，二进制开关的频率就可以越高，那么芯片性能也就越高。
芯片的纳米尺寸越小，所需要的光刻机蚀刻的水平就越高，那么在单位面积内所能蚀刻的晶体管数量就越多，纳米数越小的芯片，其代表的内含晶体管数量就越多，性能则更强劲。
3. 光刻机曝光时间太短的坏处
1 光刻机有辐射危害。
2 而光刻机大部分深紫外光波长被控制在100纳米以内,所以没有外露辐射,而高端的极紫外光波长为13.5纳米就更没有辐射危害。
3 其实,台积电用的是极紫外光刻机,可以光刻5nm的芯片。但是紫外线的波长远大于5nm,这就需要光刻机多次曝光等离子化用于改变紫外线。
4. 为什么需要光刻机
光刻机对战争是有用的。
光刻机是生产芯片的主要设备。而芯片是现代化武器系统必不可少的，它是武器的“大脑”、“耳朵“、“眼睛“，欲使武器打得远、描得准、不受干扰、行进过程中变向变速，都需要武器中的芯片接受后方的指令，所以芯片的性能决定了武器的先进程度。生产制造性能先进的芯片，既要有优秀的设计方案，也必须要有先进的光刻机、封装机、测试系统。
5. 适合做光刻的激光波长
光刻机波长极限是3纳米
目前高端光刻机波长是13.5纳米的极紫外光，比紫外线更短的光叫做伦琴射线，也叫X射线（0.001-0.1纳米波长）。但目前的技术还没有办法把X射线应用到光刻系统中。并且由于存在量子隧穿效应，3nm是个极限。小于3nm的工艺，都将面临量子隧穿效应带来的更大挑战，芯片能否稳定工作都将是问题。所以3纳米的光源波长应该就是光刻机波长极限。
6. 光刻机为什么要用波长更短的光刻片
光刻机主要是拿来曝光光刻胶，光刻胶分 positive 和 negative，与纂刻里的阳文阴文一个意思。如果是 positive photoresist，那就是光照到哪，哪就不结实，就能被 developer 冲刷掉。受到照射的光刻胶结不结实主要取决于光刻胶的对比度和入射光量（dose）。
横轴为 dose，纵轴为经过曝光和 develop 之后的剩余光刻胶厚度。我们可以看到在 [公式] 位置，虽然光刻胶受到了光照，但是厚度基本没怎么变。只有 dose 超过 [公式] 才能让光刻胶完全被除去。相同的道理，如果我们能精确控制照哪，照多久，那就可以造出一些低于光波长的结构来。
7. 光刻机的波长与线宽
掩模尺寸：最大7英寸；
- 样品尺寸：最大6英寸；
- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；
- 紫外光源：6.25“ X 6.25“；
- 光源功率：350瓦紫外灯；
- 光源均匀性：<+/-3%；
- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；
- 显微镜：双显微镜系统；
- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；
- 显微镜物镜空间：50-150mm；
- 标配放大倍率：80X-400X；
- 显示器：20“ LCD；
- 曝光时间：0.1-999秒；
- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；
- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；
- 电源：220V，单相，15安培；
8. 光刻机 波长
光刻机分辨率=k1*λ/NA
k1是常数，不同的光刻机k1不同，λ指的是光源波长，NA是物镜的数值孔径，所以光刻机的分辨率就取决于光源波长及物镜的数值孔径，波长越短越好，NA越大越好，这样光刻机分辨率就越高，制程工艺越先进。
9. 光刻 波长
面板光刻胶
光刻胶是LCD面板制造的关键材料，根据使用对象的不同，又可分为RGB胶、BM胶、OC胶、PS胶、TFT胶等。
面板光刻胶主要包括TFT配线用光刻胶、LCD/TP衬垫料光刻胶、彩色光刻胶及黑色光刻胶四大类别。其中TFT配线用光刻胶用于对ITO布线，LCD/TP沉淀料光刻胶用于使LCD两个玻璃基板间的液晶材料厚度保持恒定。彩色光刻胶及黑色光刻胶可赋予彩色滤光片显色功能。
半导体光刻胶
目前，KrF/ArF仍是主流的加工材料。光刻技术随着集成电路的发展经历了从G线（436nm）光刻，H线（405nm）光刻，I线（365nm）光刻，到深紫外线DUV光刻（KrF248nm和ArF193nm）、193nm浸没式加多重成像技术（32nm-7nm），在到极端紫外线（EUV，＜13.5nm）光刻的发展，甚至采用非光学光刻（电子束曝光、离子束曝光），以相应波长为感光波长的各类光刻胶也应用而生。