1. 国产光刻机落后多少年
首先，我国很早就开始了光刻机的研制，在上世纪70年代，清华大学与中科院合作进行光刻机的研发，在1985年就研制成功了一台g线分步投影光刻机，这比国外同类产品仅仅晚了6年。2002年我国成立了上海微电子装备有限公司(SMEE)，其研发团队主要来自中科院45所，目前为止，这也是我国仅有的一家光刻机研发单位。从今年发展来看，SMEE虽取得了很大成绩，但整体技术水平还是落后于西方发达国家。
光刻机的研制技术难点主要是解决精密度问题，光刻的原理就像在米粒大小的面积上，雕刻纳米级大小的文字，其难度可想而知，所以这需要持续的研发和技术攻关。此外，我国光刻机的研发还面临资金和人才的调整。研发光刻机这种高精尖设备投入大、投资回报时间长，民营企业出于发展目的，很少会主动投入光刻机的研发，所以这需要国家进行投资和组织，从国外发展来看，英特尔、台积电、三星为推进光刻机的研发，都是持续投入巨资，比如三星以38亿欧元购买ASML23%的股份支持其EUV光刻机的研发，可以说是不计成本，也由此奠定了他们在光刻机领域的地位。
与国外相比，我国缺少光刻机相关配套产业，而且由于西方国家的技术封锁，几乎不可能从国外获得技术支持，所以，我国光刻机的发展只能来源于自主研发，而光刻机研发人员的培养难度较大、培养周期长、人才流失严重，这些都大大制约了我国光刻机的发展。
其实总体来看，发展光刻机取决于国家的决心，过去，我们可以很容易买到国外芯片，而且自主研发投入大、风险高，这造成了我们国家很多人产生了“造不如买”的观点，但随着中美贸易战的加剧，美国开始对中国进行技术防范，比如“中芯事件”，对华为的各种制裁，这些事件终于使国内企业醒悟过来，不发展光刻机，中国永远把自身的命脉放在别人手里，国家工业将永远徘徊低端产业，所以，发展光刻机已经刻不容缓
2. 国产光刻机的崛起
上海微电子装备有限公司：生产出90纳米的光刻机设备，这也是生产国产光刻机的最高技术水平，比ASML公司差不多有10年的差距。
中科院光电所：中科院光电所研发出365纳米波长，曝光分辨率达到22纳米的光刻机，是近紫外的光线，离极紫外还有一点差距。
合肥芯硕半导体有限公司、无锡影速半导体科技有限公司、先腾光电科技有限公司、中微公司。
3. 国产光刻机的现状究竟如何?
答：中国最少要20年左右才能造出2纳米左右的光刻机！现在世界上最先进的光刻机制造厂家是荷兰的阿斯麦公司，他最先进的光刻机是13.5nm光源的EUV光刻机，使用台积电最先进的生产工艺现阶段能达到3nm工艺节点。中国最先进的光刻机是上海微电子90nm光刻机，与世界先进水平差距比较大！
4. 国产光刻机投产了吗
中端光刻机投产能生产22-45纳米芯片。
光刻机领域按高中低端机型分类的话，高端机是13.5纳米极紫外光光源，用于生产14纳米以下制程的芯片。中低端机型是193纳米的深紫外光光源，通过技术手段，制程压缩到45纳米以下就是中端机型。我国上海微电子的28纳米光刻机就是我国首台中端光刻机。
5. 中国光刻机落后多少年
相对来说比较落后。
干式光刻机是相对应浸润式光刻机来说的，就是直接用紫外光投影芯片模板，其最高光源波长可以从193纳米压缩到157纳米，之后就几乎不可能突破限制。而浸润式光刻机是利用深紫外光穿过纯化水压缩到134纳米，当初以尼康和佳能为代表干式光刻机公司也正因为浸润式技术丢掉了很大一部分市场而没落。
6. 国产光刻机今年要下线了
国产低端光刻机量产是真的，上海微电子2021年底28纳米光刻机量产下线，14纳米及14纳米以下光刻机也在攻克，预计每年可以量产14纳米及以下制成的光刻机，10纳米以下制成的EUV光刻机也会在两年以内攻克以及量产，华为高端手机芯片会解决，华为的量子芯片也会量产的。
7. 国产光刻机发展史
一支由清华大学机械工程系朱煜教授带队的清华大学研发团队，客服重重困难自主研发出了光刻机双工件台，这是中国光刻机再获得的一个重大突破。要知道光刻机制造的过程中，难度最大的就是双工件台的制造，毕竟双工件台是光刻机的两大核心部件之一，就连日本都没研发出来。有了双工件台就可以大大提高生产芯片的速度，这一成果让中国成为了世界上第二个可以生产双工件台的国家。虽然只是一个小小的成就和突破，但是也代表了中国企业发展芯片的决心，同时还显示出我国强大的自主科研能力，这一突破是中国光刻机领域的一小步，也是中国芯的一大步！
8. 光刻机国产还没有好消息
我国的光刻机技术仍然处于低端水平，上海微电子的光刻机代表我国光刻机的最高水平，制程工艺为90nm，而ASML的光刻机已经进入5nm的制程工艺，我国的高端光刻机全部依靠进口