1. led的电学特性
LED：英文全称Light Emitting Diode（发光二极管）。它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。
当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。
与白炽灯泡和氖灯相比，发光二极管的特点是：工作电压很低（有的仅一点几伏）；工作电流很小（有的仅零点几毫安即可发光）；抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长；通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。由于有这些特点，发光二极管在一些光电控制设备中用作光源，在许多电子设备中用作信号显示器。
把它的管心做成条状，用7条条状的发光管组成7段式半导体数码管，每个数码管可显示0～9，10个阿拉伯数字以及A，B，C，D，E，F等部分字母（必须区分大小写）。
普通单色发光二极管普通单色发光二极管具有体积小、工作电压低、工作电流小、发光均匀稳定、响应速度快、寿命长等优点，可用各种直流、交流、脉冲等电源驱动点亮。
它属于电流控制型半导体器件，使用时需串接合适的限流电阻。
高亮度单色发光二极管高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管使用的半导体材料与普通单色发光二极管不同，所以发光的强度也不同。
通常，高亮度单色发光二极管使用砷铝化镓（GaAlAs）等材料，超高亮度单色发光二极管使用磷铟砷化镓（GaAsInP）等材料，而普通单色发光二极管使用磷化镓（GaP）或磷砷化镓（GaAsP）等材料。变色发光二极管变色发光二极管是能变换发光颜色的发光二极管。变色发光二极管发光颜色种类可分为双色发光二极管、三色发光二极管和多色（有红、蓝、绿、白四种颜色）发光二极管。变色发光二极管按引脚数量可分为二端变色发光二极管、三端变色发光二极管、四端变色发光二极管和六端变色发光二极管。
常用的双色发光二极管有2EF系列和TB系列，常用的三色发光二极管有2EF302、2EF312、2EF322等型号。LED被称为第四代光源，具有节能、环保、安全、寿命长、低功耗、低热、高亮度、防水、微型、防震、易调光、光束集中、维护简便等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。
2. led电学特性实验
1. 发光强度检测，光强即光的强度，是指在某一特定角度内所放射光的量。
2. 光通量和光效检测，光通量是光源所发出的光量之总和，即发光量。
3. 光谱特性检测，LED的光谱特性检测包括光谱功率分布、色坐标、色温、显色指数等内容。
4. 光强分布测试，光强随空间角度（方向）而变的关系称假光强分布，由此种分布连成的封闭曲线称为光强分布曲线。
5. 温度效应对LED光学特性的影响，温度会影响LED的光学特性。
6.表面亮度测量，光源在某方向的亮度为光源在该方向单位投影面积上的发光强度，一般使用表面亮度计、瞄准式亮度计测量表面亮度，有瞄准光路及测量光路2个部分。7.LED灯具电参数的测量，电学参数主要包括正向、反向电压和反向电流，关系到LED灯具能否正常工作，是判定LED灯具基本性能优劣的依据之一。
8. LED灯具热学特性测试，LED的热学特性，对LED的的光学特性、电学特性有重要影响。
3. led的光学特性
LED的特性参数：1、电气特性包括伏安特性、允许功耗、响应时间、电容-电压特性等。2、光学性能特性包括光谱特性、配光特性等，主要为亮度或流明值、光衰、失效率、光效、一致性以及光学分布特性等。通常采用峰值波长和半亮度，描述光谱特性的光谱分布。3、热特性反映结温变化、热阻等与热相关的特性。采用高亮度LED为光源，长寿命，低功能，压铸铝灯体，PC灯罩，绿色环保。宛如天上的星星，给人无限遐想。运用点阵组合原理，采用LED电脑数字程控器系统，实现了不同类型的动画（Gif、Flash）、点阵文字、图形（JPG、BMP）、及各种灯光效果。
4. LED的特性
二极管是单向导电的一种元器件发光二极管简称LED，采用砷化镓、镓铝砷、和磷化镓等材料制成，其内部结构为一个PN结，具有单向导电性。 当在发光二极管PN结上加正向电压时，PN结势垒降低，载流子的扩散运动大于漂移运动，致使P区的空穴注入到N区，N区的电子注入到P区，这样相互注入的空穴与电子相遇后会产生复合，复合时产生的能量大部分以光的形式出现，因此而发光。 发光二极管在制作时，使用的材料有所不同，那么就可以发出不同颜色的光。 发光二极管的发光颜色有：红色光、黄色光、绿色光、红外光等。 发光二极管的外形有：圆形、长方形、三角形、正方形、组合形、特殊形等。 常用的发光二极管应用电路有四种，即直流驱动电路、交流驱动电路、脉冲驱动电路、变色发光驱动电路。使用LED作指示电路时，应该串接限流电阻，该电阻的阻值大小应根据不同的使用电压和LED所需工作电流来选择。 发光二极管的压降一般为1.5~2.0V，其工作电流一般取10~20mA为宜。 发光二极管的反向击穿电压约5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过管子的电流。限流电阻R可用下式计算： R＝（E－UF）／IF编辑本段特性 与小白炽灯泡和氖灯相比，发光二极管的特点是：工作电压很低（有的仅一点几伏）；工作电流很小（有的仅零点几毫安即可发光）；抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长；通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。由于有这些特点，发光二极管在一些光电控制设备中用作光源，在许多电子设备中用作信号显示器。把它的管心做成条状，用7条条状的发光管组成7段式半导体数码管，每个数码管可显示0～9十个数目字。编辑本段单向导电性 发光二极管的两根引线中较长的一根为正极，应按电源正极。有的发光二极管的两根引线一样长，但管壳上有一凸起的小舌，靠近小舌的引线是正极。编辑本段发光原理 发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。
5. led的电学特性包括
Micro-LED是什么?
Micro LED技术，即LED微缩化和矩阵化技术。指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。
而Micro LED display，则是底层用正常的CMOS集成电路制造工艺制成LED显示驱动电路，然后再用MOCVD机在集成电路上制作LED阵列，从而实现了微型显示屏，也就是所说的LED显示屏的缩小版。
凸显的优势
Micro LED优点表现的很明显，它继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，并且具自发光无需背光源的特性，更具节能、机构简易、体积小、薄型等优势。
除此之外，Micro LED还有一大特性就是解析度超高。因为超微小，表现的解析度特别高;据说，如若苹果iPhone6S采用micro LED，解析度可轻松达1500ppi以上，比原来的Retina显示的400PPi要高出3.75倍
而相比OLED，其色彩更容易准确的调试，有更长的发光寿命和更高的亮度以及具有较佳的材料稳定性、寿命长、无影像烙印等优点。故为OLED之后另一具轻薄及省电优势的显示技术，其与OLED共通性在于亦需以TFT背板驱动，所以TFT技术等级为IGZO、LTPS、Oxide。
存在的劣势
1、成本及大面积应用的劣势。依赖于单晶硅衬底做驱动电路，并且从此前苹果公布的专利上来看，有着从蓝宝石衬底转移LED到硅衬底上的步骤，也就意味着制作一块屏幕至少需要两套衬底和互相独立的工艺。这会导致成本的上升，尤其是较大面积应用时，会面临良率和成本会有巨大的挑战。(对于单晶硅衬底，一两寸已经是很大的面积了，参照全幅和更大的中划幅CMOS感应器产品的价格)当然从技术角度来说LuxVue将驱动电路衬底转换为石英或者玻璃来降低大面积应用成本是可行的，但这也需要时间。相比于AMOLED成熟的LTPS+OLED方案，成本没有优势。
2、发光效率优势被PHOLED威胁甚至反超。磷光OLED(Phosphorescent OLED，PHOLED)效率的提升有目共睹，UDC公司的红绿PHOLED材料也都已经在三星GalaxyS4及后继机型的面板上开始商用，面板功耗已经和高PPI的TFT-LCD打平或略有优势。一旦蓝光PHOLED材料的寿命问题解决并商用，无机LED在效率上也将占不到便宜。
3、亮度和寿命被QLED威胁。QLED研究现在很热，从QD Vision公司提供的数据来看无论效率和寿命都非常有前景，而从事这块研究的大公司也很多。当然QLED也是OLED的强力竞争对手。
4、难以做成卷曲和柔性显示。OLED和QLED的柔性显示前景很好，也已经有不少的Prototype展示，但对于LuxVue来说做成卷曲和柔性都显得比较困难。如果要制造iWatch之类的产品，屏幕没有一定的曲率是比较不符合审美的。
现状
说起micro LED的发展现状，正如Nouvoyance现任CEO也是三星OLED面板中P排列像素创始人CandiceBrown-Elliott所说，在苹果收购LuxVue之前只有很少人知道和从事该领域，而现在已经有很多人开始讨论这项技术。
而两位Micro-LED技术的专家在去年也曾表示，该技术水平还很难应用生产各种实用的屏幕面板，近期不大可能在iPhone、iPad或者iMac产品中看到这项屏幕技术。但对于较小的显示屏，Micro-LED仍是一个可行的选择，像Apple Watch等小型屏的应用。
其实自LuxVue被苹果收入之后，有看到VerLASE公司宣布获取突破性的色彩转换技术专利，这种技术能够让全彩MicroLED阵列适用于近眼显示器，之后一直没有相关报道。最近，LEDinside从最近台湾固态照明研讨会得到消息，Leti、德州大学(Texas Tech University)和PlayNitride皆在研讨会上展现自己的microLED研发成果。
Leti推出了iLED matrix，其蓝光EQE9.5%，亮度可达107Cd/m2;绿光EQE5.9%，亮度可达108Cd/m2，采用量子点实现全彩显示，Pitch只有10um，未来目标做到1um。Leti近程计划从smart lighting切入，中程2-3年进入HUD和HMD市场，抢搭VR/AR热，远程目标是10年内切入大尺寸display应用。
而台湾Play Nitride公布的同样以氮化镓为基础的PixeLEDTM display技术，公司目前透过移转技术转移至面板，转移良率可达99%!
由此可见，Micro LED技术已经有很多企业在跟进，发展速度也在加快。但就苹果本身来看，该技术属苹果实验室阶段技术，且苹果本身也押宝了许多新兴产业，故未来是否导入量产仍有待观察。
发展的瓶颈
其实Micro LED的核心技术是纳米级LED的转运，而不是制作LED这个技术本身。由于晶格匹配的原因，LED微器件必须先在蓝宝石类的基板上通过分子束外延的生长出来。而做成显示器，必须要把LED发光微器件转移到玻璃基板上。由于制作LED微器件的蓝宝石基板尺寸基本上就是硅晶元的尺寸，而制作显示器则是尺寸大得多的玻璃基板，因此必然需要进行多次转运。
对于微器件的多次转运技术难度都是特别高，而用在追求高精度显示器的产品上难度就更大。通过此前苹果收购Luxvue后公布的获取专利名单也以看出，大多都是采用电学方式完成转运过程，所以说这才是Luxvue的关键核心技术
台湾錼创执行长李允立近日也表示：“Micro LED成功关键有二：一是苹果、三星这些品牌厂的意愿;二是晶片搬动技术，一次搬运数百万颗超小LED晶片，有门槛要克服。”
其实，Micro LED还面临第三个问题，即全彩化、良率、发光波长一致性问题。单色Micro LED阵列通过倒装结构封装和驱动IC贴合就可以实现，但RGB阵列需要分次转贴红、蓝、绿三色的晶粒，需要嵌入几十万颗LED晶粒,对于LED晶粒光效、波长的一致性、良率要求更高，同时分bin的成本支出也是阻碍量产的技术瓶颈。
6. LED具有什么的特性
唉，路异地整流器必须具有的特点就是面积小，体积小。而且又结实耐用，必须要结实耐用，而且产生的热度，温度必须要是低又低的，又少的，幼小的温度一定要小的，这一点是绝对的，必须是面积小，体积小，这一点是唯一的最主要的因素之一，所以说必须的。
7. led的电学参数
PF值：指的是功率因素，=有功功率/视在功率，视在功率的平方=有功功率的平方 +无功功率的平方PF=cos$。一般5W以下功率因数0.5以上，5W上0.7以上。但是如果做高功率因数一般APFC都是0.9以上了。哈哈。这个计算很复杂的，一般LED电源的话没有功率因数校正一般0.4～0.6 ，填谷PFC可以做到0.7～0.9，APFC一般都0.9以上。
8. LED的电光特性
点光源，LED点光源。
光电效应法是利用光电效应的原理来计算普朗克常数，首先要得到不同光照频率下的遏制电压，做出遏制电压与光照频率的关系曲线——一条直线，由于遏制电压满足ube=hv/e-w0/e，则该直线的斜率为h/e，用计算机模拟可以得到该直线的方程式，然后得到其斜率，这样普朗克常数h=ke就可以了。
9. led具有什么导电特性
答，
led灯外壳带电是不正常的。灯具外壳带电很不正常，我们平时常冗到电工师傅在帮用户捡修线路和电器时，用测电笔测出灯头，电风扇，由饭锅等电器的外壳带电，虽然这种电流的电压很低，对人不会造成触电伤害但不可大意，更不能视而不惊，及时去排除故障。据电工介绍，电器处壳带电，有的是电器本身质量太差造成的，有的是在安装时电线未接牢靠，使得零线上带电，或者电线破损未被发现，存在微量漏电所引起的。无论何种原因，一经发现电器外壳带电，应认真查明原因，及时排除故障，确保安全用电。
10. led的电学特性参数
led灯反着量会亮另一种色绿色。LED节能灯正负极识别最常用的方法就是万用表检测法。用万用表检测发光二极管时，必须使用“R×l0k”档。困为发光二极管的管压降大约为3V，而万用表处于“R×lk” 及其以下各电阻挡时。表内电池仅为1.5V。低于管压降。无论正、反向接入，发光二极管都不可能导通，也就无法检测。
