1. 中国唯一一台7nm光刻机
是真的，但目前无法量产。
国产7nm指的是中芯国际的芯片技术项目，中芯国际是大陆芯片代工领域排行第一的公司，其可以用duv光刻机通过多重曝光技术使芯片制程达到14nm工艺，就是报道中的n+1、n+2技术，这个技术也是可以趋近于7nm工艺的，但是目前来说成品率不高，无法达到量产状态。
2. 中国现在能做几nm芯片
我们的中芯国际有能量产12 nm芯片的技术，而且良品率达到95%，12nm技术水准已经相当成熟了。7nm技术已开始流片，技术障碍不存在了，下一步通过技术提升来提高良品率。但是中芯国际生产用的海外设备占比达90%，国产设备仅仅10%，国产设备还任重道远。
3. 国产28nm光刻机
光刻机是芯片制造过程中的重要机器，光刻机的先进程度决定了芯片的质量。
我国光刻机最高技术是上海微电子研究所的90nm工艺，它的SMEE200系列光刻机、300系列光刻机、500系列光刻机、600系列光刻机只能够达到90nm工艺水平。而像江苏无锡影幻半导体公司、合肥芯硕半导体公司都只能够拥有200nm工艺的光刻机量产能力。
世界上最顶尖光刻机是荷兰的ASML掌握，ASML占有了全球超过80％的市场份额，可以达到7nm工艺水平。
4. 中国首台5纳米光刻机
光刻机最大噱头是光源为13.5纳米的ASML光刻机，台积电用这型号光刻机，实现了5纳米制程，而英特公司和三星公司没有做到，特别要注意这里不是五纳米线宽，而是制程。线宽是光刻机的性能指标，是长度单位，极限值是衍射极限值，一般接近波长值，大于波长值，所以很容易有这样的错误想法：
注意台积电实现了5纳米制程，而不是ASML光刻机实现的，三星也用了，它至今没有达到5纳米制程，特别要注意不是达到了5纳米线宽。但是，很多人在混淆这个概念，直接就说ASML光刻机是5纳米光刻机，国产只能实现90纳米。如果理解成线宽，都接近或微微超过半宽度，如果这样理解，国内又无法开发出13.5纳米光源，赶上和超越ASML光刻机，只能是水中捞月的空幻。
所以，一定要注意线宽和制程的区别！ASML的光刻机只能接近衍射极限，台积电的制程是台积电的说法，只说明用的比三星英特好，制程不是长度概念。第二，衍射极限接近波长不准确，应该是衍射极限值=波长/Na，Na值在0.05到0.75之间。13.5纳米光源由于只能采用离轴光路，这是致命的，又只能采用反射式光路，球差和平场两个要求难保证，所以一般Na值0.05。而193纳米光源水浸润后相当于132纳米光源，Na值一般0.5。所以两种光源几乎无差异。而193纳米光源特殊设计镜头， 使Na值达0.75，就有可能达到比13.5纳米更好的效果。
第三，那么台积电的制程比三星和英特更好又是什么回事？使用光刻机还有几个因素：一，光刻胶，布胶是有讲究的，它也决定最后刻线宽度。二，电路的掩膜制造，也决定最终线宽。三，五纳米制程的真实的线宽是，每平方毫米5000万只晶体管，每平方微米50只，单个晶体管占20000平方纳米，也就是平均140纳米的见方。比起13.5纳米波长，相差十倍多，所以对193纳米浸润后的光源相当于132纳米，都在衍射极限以内。
我最近关于麦氏方程组的研究，发现这个衍射极限值是否是它，我已经怀疑，这是以后的事。第四，刻线宽度是否可以突破上述这个值，不完全取决于这个值，还和光刻机的使用有关系，这个可以用衍射理论说清楚的，这里我不讲。第五，本来光刻机和它的应用，已经触及衍射极限，本该有一个基础理论的重大突破，它的意义远远大于光刻机的极限线宽。
5. 中国光刻机现在多少纳米
5纳米光刻机中国目前还无法做得出来。
目前全球最高端的光刻机是荷兰阿斯麦尔公司生产的euv光刻机，其光源是13.5纳米的极紫外光光源。所谓7纳米5纳米都是用13.5纳米光源通过技手段制造的。而我国目前的技术还无法制造euv光刻机的主要零部件，比如极紫外光光源，比如光刻机物镜组。我们目前最先进的光刻机只能制造28纳米的光刻机。技术进步需要时间，而且这么复杂的超大型精密设备需要更多的时间。