1. 交叉耦合mos管
MOS管最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。
当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。
MOS管最高电压：以一个工作于直流线电压为160V(最大可为186V )电路中的正激变换器为例进行分析。当MOS管在最大线电压下关断,它的漏极电压上升到2倍线电压即372V。这个正向电压前沿的一部分耦合回来,由Crss和Ciss分压。
2. 互补mos管
MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属－氧化物半导体场效应管(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为MOSFET)制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。
主要分为以下三类：
1、PMOS(P-channel Metal Oxide Semiconductor，P沟道金属氧化物半导体)
2、NMOS(N-channel Metal Oxide Semiconductor，N沟道金属氧化物半导体)
3、CMOS(Complement Metal Oxide Semiconductor，复合互补金属氧化物半导体)
3. 交叉耦合电路
(1)紧密耦合(TightlyCoupled)MPS：紧密耦合通常是通过高速总线或高速交叉开关来实现多个处理器之间的互连的。系统中的所有资源和进程都由操作系统实施统一的控制和管理。这类系统有两种实现方式；
1、多处理器共享主存储器系统和10设备，每台处理器都可以对整个存储器进行访问，访问时间一般需要10~50ns；
2、将多处理器与多个存储器分别相连，或将主存储器划分为若干个能被独立访问的存储器模块，每个处理器对应一个存储器或存储器模块，而且每个处理器只能访问其所对应的存储器或存储器模块，以便多个处理机能同时对主存进行访问。(2)松散耦合(LooselyCoupled)MPS：在松散耦合MPS中，通常是通过通道或通信线路来实现多台计算机之间的互连。每台计算机都有自己的存储器和10设备，井配置了0S来管理本地资源和在本地运行的进程。
因此，每一台计算机都能独立地工作，必要时可通过通信线路与其它计算机交换信息，以及协调它们之间的工作。
但在这种类型的系统中，消息传递的时间一般需要10--50ms.
4. 光耦控制mos管
输入端不管了，说下输出端吧，如果是交流电，那么接6脚和4脚便可。如果是直流电，可以选择 6+ 4-、4+ 6-、6+ 5-、4+ 5-，上面这4种是简单的只使用其中的一个MOS管（这个光耦输出端有两个MOS的）， 当然也可以采用并联接法，6和4连一起接 + 5脚接-。
5. 光耦隔离mos管
应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。
所以一般要采用电流比较大的驱动源，如三极管，MOS驱动器件
6. 复合MOS管
sp25n135t场效应管 采用的是三星巴拉米制成工艺的三星880处理器，这款处理器的性能一般般，但是它支持5G双模全网通功能，并且它的性能虽然比较低，但是它的功耗控制的相当优秀，也价格比较便宜，目前都是几百块钱的手机采用的这款5G处理器。
7. 交叉mos结构
我申请的学校科技基金项目就是全桥逆变电源，已经结项。四个MOSFET构成左右2个桥臂，上下两个mosfet为一组，互补导通，还要加死去时间，防止误导通，造成短路。
第一个桥臂的上mos和第二个桥臂的下mos接收同一驱动信号，导通关断一致，另外两个mos也是同时导通和关断。把直流转换为交流的过程，最好看书借助图解好理解
8. 双向mos管
内部有一个二极管的场效应管叫MOS场效应管。MOS场效应管全称金属（M）-氧化物（O）-半导体（S）场效应管，一般称为绝缘栅极场效应管。
MOS管的栅极是由二氧化硅与另两个电极隔离的，其电阻极高，容易感应静电，导致击穿烧毁，为了防止静电的积累并一个雪崩二极管上去，当电压超过一定值时雪崩二极管反向击穿释放电荷，从而起到保护MOS管的作用。
雪崩二极管的反向击穿是可逆的、可恢复的，自身不会损坏。
9. 光耦mos管
可以使用如下公式对MOS管的驱动电流进行估算： Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0≈td（on）+tr td（on）：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%，开始到VDS下降到其幅值90%的时间。
Tr：上升时间。输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。 Qg=（CEI）（VGS）或Qg=Qgs+Qgd+Qod（可在datasheet中找到）。 公式估算法的变形 密勒效应时间（开关时间）Ton/off=Qgd/Ig；
Ig=[Vb-Vgs（th）]/Rg；
Ig：MOS栅极驱动电流；
Vb：稳态栅极驱动电压。
10. mos管的并联
Power MOSFET更易于并联，其导通沟道电阻为正温度系数。
功率MOSFET具有正温度系数，当结温升高时，通态电阻增大，有自限流作用，而GTR的温度特性为负，温度越高，BE导通电压越小，电流越大，所以功率MOSFET热稳定性要高于GTR。
多个同参数MOSFET可以并联使用，通过其正的温度系数，多管之间可以实现自动均流效果，而GTR不具备这个能力。
功率MOSFET中只有多数载流子参与导电，不存在GTR中的少数载流子的存储效应，因此开关速度快，工作频率高，是目前所有功率器件中工作频率最高的器件之一。
11. 交叉耦合MOS管
SRAM存储元电路是由两个MOS反相器交叉耦合而成的触发器，一个存储元存储一位二进制代码。SRAM存储器的组成：存储体，存储单元的集合，通常用行线和列线的交叉来选择所需要的单元。存储元是组成存储器的基础和核心，它用来存储一位二进制信息0或1。
