1. pnp管饱和状态
三极管在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断三极管临界饱和的条件，根据此公式算出Ib的值，实际上应该取该值数倍以上，才能达到真正的饱和，倍数越大，饱和程度越深。三极管在饱和状态下，Ic与Ib及Uce有关，最好查下Ic与Ib特性曲线求得。
2. pnp管的放大饱和截止判断
1.截止失真的解决办法
当输入信号Ui<Uon时，如果没有附加电源，发射结是截止的，三极管不能进行放大作用，如果要是三极管导通，就要增加基极电位，使输入的信号同时增加某相同的电位，使要放大的输入信号都能满足大于Uon，为此在基极增加一个静态电源VBB，使VBB+Ui>Uon，保证三极管导通。
2.饱和失真的解决办法
1 ）增加VCC 由于三极管饱和的根本原因是集电结收集电子的能力不足，所以增加VCC能够增强集电极收集电子的能力，但必须保证VCC在三极管的能承受范围内，在RC和管子不变的情况下，能够消除饱和失真 。
3. pnp的饱和状态
1、PNP三极管，外加电压：Ube＜0（-0.6~-0.4，硅、锗不一样）。Uec＞0；
2、PNP型管集电极接正极，发射极接负极，电压要大于饱和电压。
3、只有当三极管工作在放大状态时，才给三极管提供静态偏置电流，而这一电流是保证三极管工作在放大状态的必要条件，静态电流不正常，三极管放大信号的工作就一定不正常，掌握三极管放大器的这一重要特性。
4. pnp管工作状态
对于PNP型硅三极管，当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极电压0.4V以上，且高于电源电压时，该三极管处于放大状态；
当基极电压低于发射极0.4V以下或高于发射极电压时，处于截止状态；当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极0.3V左右，处于饱和状态
5. pnp型晶体管饱和状态
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。
开关只有两种状态通和断，三极管和MOS管工作有三种状态，1、截止，2、线性放大，3、饱和（基极电流继续增加而集电极电流不再增加）。
使晶体管只工作在1和3状态的电路称之为开关电路，一般以晶体管截止，集电极不吸收电流表示关；以晶体管饱和，发射极和集电极之间的电压差接近于0V时表示开。
开关电路用于数字电路时，输出电位接近0V时表示0，输出电位接近电源电压时表示1。所以数字集成电路内部的晶体管都工作在开关状态
6. pnp饱和状态三个极关系
简单的共发射极电路中：
1、对于NPN型硅三极管，当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极电压0.4V以上且低于电源电压时，该三极管处于放大状态；当基极电压高于发射极0.4V以下或低于发射极电压时，处于截止状态；当基极电压高于发射极0.6V左右，集电极电压高于发射极0.3V左右，处于饱和状态。
2、对于PNP型硅三极管，当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极电压0.4V以上且高于电源电压时，该三极管处于放大状态；当基极电压低于发射极0.4V以下或高于发射极电压时，处于截止状态；当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极0.3V左右，处于饱和状态。
7. pn结饱和区
1、正向导通，反向截止。当正向电压达到一定值时（硅管0.7伏，锗管0.3伏）左右时，电流随电压成指数变化。与电阻相比它是具有非线性特性的，因此它的特性曲线一般是非线性的。
2、有两种载流子，即电子和空穴。
3、受温度影响比较大，因为温度变化影响载流子的运动速度以及本征激发的程度，因此设计或者运用时常需要考虑温度问题。
正向偏置时，空间电荷区缩小，削弱内电场，外电场增大到一定值以后，扩散电流显著增加，形成明显的正向电流，PN结导通。
反向偏置时，空间电荷区拓展，加强内电场，扩散运动大大减弱，少子的漂移运动增强并占优势。然而常温下掺杂半导体的少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。
温度一定时，少子浓度一定，PN结反向电流几乎与外加反向电压无关，所以又称为反向饱和电流。
8. pnp工作在饱和区条件
三极管的工作状态：
1、三极管放大状态：UcUbUe，并且Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V)，NPN管。
2、Uc三极管截止状态:UbUbUe或Ub-Ue-0.7V(锗管-0.3V)，PNP管。
3、三极管饱和状态:UcUbUe，并且Ub-Ue=0.7V(锗管0.3V)，NPN管Uc=-0.7V(锗管-0.3V)，PNP管此时Uc近似等于Ue。
