1. 肖特基二极管击穿电压计算公式
1、用快速恢复二极管可以代替肖特二极管。
2、快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。
因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
3、肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
2. 肖特基二极管反向击穿电流
将数字万用表置于二极管挡，测量二端型肖特基二极管的正、反向的电阻值。正常时，其正向电阻值（红表笔接正极）为 2.5—3.5Ω，反向电阻值则为无穷大。若测得的正、反向电阻值均为无穷大或均接近 0，则说明该肖特基二极管已开路或已被击穿损坏。
3. 二极管反向击穿电压计算
二极管的反向击穿可以用做稳压管。二极管具有单向导电性，二极管是由一个p型半导体和一个N型半导体组合而成，加上正向电压时，二极管的内阻非常小，加上反向电压，二极管的内阻非常的大。但二极管被反向击穿后，反向电压降就是PN结击穿后的压降，与外界电压无关，利用这个特性制作成稳压管。
4. 肖特基二极管的反向击穿电压
稳压二极管与肖特基二极管的区别在于：肖特基二极管正向导通电压很低，只有0.4v，反向在击穿电压之前不会导通，起到快速反应开关的作用。而稳压二极管正向导通电压跟普通二级管一样约为0.7v，反向状态下在临界电压之前截止，在达到临界电压的条件下会处于导通的状态，电压也不再升高，所以用在重要元器件上，起到稳压作用。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
5. 肖特基二极管击穿会怎样
肖特基二极管是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，肖特基二极管也称为金属－半导体（接触）二极管，具有开关频率高和正向压降低等优点。
齐纳二极管又叫稳压二极管,此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。
稳压二极管的特点就是反向通电尚未击穿前，其两端的电压基本保持不变。
这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。晶体二极管,简称二极管(diode)，是一种具有单向传导电流的电子器件。
一般晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。三种二极管工艺和应用场合各不相同。
6. 肖特基二极管电流电压方程
肖特基二极管主要参数有工作电压VR、正向电流IF、反向电流IR以及正向电压值VFM。
正向压降VFM是指二极管正向导通，正向电流为额定正向工作电流IAV时二极管两端的电压。正向压降越低，整流效率越高，特别在低电压整流时需要低正向压降的极管，如肖特基二极管的正向压降在0.5-0.7V，多用于低压、高频整流。一般，同一类型二极管的反向电压越高，正向压降会越大。
7. 肖特基二极管的反向电压
两个肖特基二极管反向串接用于整流电路。 两个这样连接的二极管组合，共四个二极管组合成了桥式整流电路。
8. 肖特基二极管电流公式
SS34、SS34、1N5822都是肖特基二极管，平均正向整流电流3A，反向耐压40V。大概是同样的功能，由于是不同厂家的产品，所以型号各异。
9. 肖特基二极管工作电压
ss14是肖特基二极管，1A ，反向耐压40V。
肖特基管子的特点是工作速度快，电流大，但反向耐压小（SS14只有40V）
所以它跟一般的整流管（比如1N4007）还不能直接换用。
后者的特点是电流大，速度慢，但反向耐压高（1N4007，耐压1000V）
如果强行应用，可能会导致SS14被击穿。