1. 肖特基二极管耐压
ss54肖特基二极管可用ss34肖特基二极管代替。二者它们都是肖特基二极管，耐压值都是40V，差别就是工作电流不同，SS34额定工作电流为3A，SS54额定工作电流为5A。若电流不大，可以互换使用。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
2. 肖特基二极管耐压越高越好吗
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。
区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁；肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
3. 肖特基二极管耐压多少
SS24是电流为2A、耐压为40V的肖特基二极管。
肖特基二（Schottky）极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
4. 肖特基二极管耐压不够
肖特基二极管与普通二极管的区别：
硅管的初始导通压降是0.5V左右，正常导通压降是0.7V左右，在接近极限电流情况下导通压降是1V左右；
锗管的初始导通压降是0.2V左右，正常导通压降是0.3V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.4V左右，
肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高，但是它的恢复速度低，只能用在低频的整流上，如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电，最后导致管子严重发热烧毁;肖特基二极管的耐压能常较低，但是它的恢复速度快，可以用在高频场合，故开关电源采用此种二极管作为整流输出用，尽管如此，开关电源上的整流管温度还是很高的。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下)，工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V)，反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低(0.4--0.5V)、反向恢复时间很短(10-40纳秒)，而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。 这两种管子通常用于开关电源。 肖特基二极管和快恢复二极管区别：前者的恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒~! 前者的优点还有低功耗，大电流，超高速~!电气特性当然都是二极管阿~!快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
5. 肖特基二极管耐压60V可以用200V代替吗
所有的整流二极管的反向击穿电压都高于5V，肖特基二极管常见型号的反向击穿电压一般为20-200V。选取器件时要看电路的峰值电压值来选取二极管的反向击穿电压（耐压），一般来讲，耐压越高的二极管的正向压降要比耐压低的大一些，所以大电流工作的电路尽量选用耐压值低（正向压降小）的。
至于二极管的整定电流值的选择，常规就要看安装空间和安装形式来选，越大越好。从理论上选，那么就要看需整定电路的占空比，工作频率以及耦合电感峰值电流的大小来选取二极管的整定电流大小，一般保险起见为计算值的2-3倍的富余量为佳。
6. 肖特基二极管耐压高还是低
通常不可以。肖特基二极管反向耐压低，正向压降小，适用于低电压整流；快恢复反向耐压高，正向压降大，适用于高电压整流。用肖特基二极管代替快恢复容易击穿（除非确认耐压满足需要），用快恢复代替肖特基损耗大效率低（除非不考虑效率）。
