1. RCD缓冲电路中各元件的作用
LLC架构属于双管半桥谐振，采用谐振电感、励磁电感和谐振电容串联，故名LLC。采用零电压开关（ZVS）软开关技术，具有工作频率高、损耗小、效率高、体积小的优点，可提高充电器功率密度。
其谐振操作可实现全负载范围的软开关，减小开关损耗。从而成为高频和高功率密度设计的理想选择，适合固定电压输出，EMI特性更好。传统反激架构在开关管关闭的瞬间，变压器漏感生成的谐振尖峰需要RCD吸收电路来吸收，这会在一定程度上降低转换效率，以及开关损耗也会降低转换效率，从而不适合更大功率输出。
2. rcd关断缓冲电路工作原理
rcd电路有两种，一种是二极管和电容串联，电阻并联在二极管上，这种电路作用是减缓功率管关断时电压的上升速度，减小关断损耗；另一种是二极管和电容串联，电阻并联在电容上，这种电路的作用是限制功率管关断时的最高电压，防止功率管因关断过压而损坏。
3. 试分析rcd缓冲电路中各元件的作用
一般是指电力电子器件的保护吸收电路：电阻、电容、二极管（RCD）
4. rc和rcd缓冲电路的优缺点
开关电源中的RCD尖峰吸收电路电容上电压是脉冲波形，其峰值一般为供电电压的2-3倍左右。一般在220V供电的开关电源中，整流后直流电压约为310V，因此，反峰电压约为650-900V。此时RCD尖峰吸收电路电容的耐压应选1KV。所以选用200V是不行的
5. rcd缓冲电路设计
用到的电容一般有几种：X电容、Y电容、瓷片电容、电解电容。1、铝电解电容
铝电解电容又分为固态电容和液态铝电解电容两大类。电解电容容量大，从几微法到几百微法都有。在电源中一般用在整流滤波及真流输出滤波。电解电容寿命低，所以设计时一般都要计算电解电容的寿命。
2、瓷片电容
瓷片电容容量一般都不大，在几十皮法到几千皮法间。但它体积小，耐压高，稳定性较好，在电源中常用在高频线路中，如RCD吸收。
3、X电容
X电容是安规电容（指电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全），分为3类，X1、X2、X3。主要区别在耐压。Ｘ电容在电源中主要接在桥堆整流前，作用为抑制电源电磁干扰，也就是ＥＭＩ元件。Ｘ电容容量一般是uF级的，电容容量越大，漏电流越大，所以尽量用容量小的。
4、Y电容
Y电容也是安规电容，Y电容在电源中主要接在初次级间，若输入带地线的电源，也常接在火线与地间（L-PE），零线与地间（N-PE）。它也是EMI元件。Y电容容量一般在nF级，容量越大，漏电流越也大。尽量用小的
6. rcd关断缓冲电路图
原理：
钳位电路用于将MOSFET上的电压控制到特定值,一旦MOSFET电压达到阈值,所有额外的漏感能量都会转移到钳位电路,或者先储存起来慢慢耗散,或者重新送回主电路。
钳位的一个缺点是它会耗散功率并降低效率,因此,有许多不同类型的钳位电路可供选择。有多种钳位使用齐纳二极管来降低功耗,但它们会在齐纳二极管快速导通时增加EMI的产生量。RCD钳位能够很好地平衡效率、EMI产生量和成本,因此为常用。
钳位的工作原理为:MOSFET关断后,次级二极管立即保持反向偏置,励磁电流对漏极电容充电。当初级绕组电压达到由变压器匝数所定义的反射输出电压(VOR)时,次级二极管关断,励磁能量传递到次级。漏感能量继续对变压器和漏极电容充电,直到初级绕组电压等于箝位电容电压。 Vc=钳位电压此时,阻断二极管导通,漏感能量被转移到钳位电容。经由电容吸收的充电电流将漏极节点峰值电压钳位到VIN(MAX)+VC(MAX)。
漏感能量完全转移后,阻断二极管关断,钳位电容放电到钳位电阻,直到下一个周期开始。通常会添加一个小电阻与阻断二极管串联,以衰减在充电周期结束时变压器电感和钳位电容之间产生的任何振荡。
这一完整周期会在钳位电路中造成电压纹波(称为VDELTA),纹波幅度通过调节并联电容和电阻的大小来控制。
7. rcd缓冲电路电路图
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。
同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
8. RCD缓冲电路
你描述问题都讲不清楚，估计你是修不好了。
是待机电路坏还是主电路坏？开关管击穿。你敢直接换不炸才怪，在这之前C945肯定坏了，e极或S极电阻有没坏，RCD吸收回路有没检查，等等等等，你都不知道还修开关电源！
9. 画出RCD型缓冲电路的结构
该电路是指能够发生正激现象的电路,正激是当变压器原边开关管导通时同时能量被传递到负载上,当开关管截止时变压器的能量要通过磁复位电路去磁的现象。
正激电路拓补结构多种多样，大致可以这样分类：根据驱动管子个数，可分为单管正激，双管正激;根据磁芯复位技术的不同，可分为辅助磁通绕组复位，LCD 缓冲网络复位，RCD 箝位复位，有源箝位复位;根据拓补结构的形式不同，可分为单个变换器和串、并组合变换器。
