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p型重参硅的电阻率(硅片的电阻率)

来源:www.haichao.net  时间:2023-01-19 04:55   点击:179  编辑:admin   手机版

1. 硅片的电阻率

隆基硅片不能做芯片。

硅片纯度是光伏用单晶硅片和半导体用单晶硅片的最大不同。

隆基股份自公司成立以来,十几年一直在光伏太阳能领域深耕,坚持单晶硅太阳能研究开发和利用,公司做到了太阳能电池板销量全球第一。

但是隆基股份单晶硅的纯度达不到半导体硅片的要求。

1. 光伏硅片对纯度、曲翘度等参数要求较低,所制造过程相对简单。以单晶硅电池片为例,第一步是切方磨圆,先按照尺寸要求将单晶硅棒切割成方棒,然后将方棒的四角磨圆。第二步是酸洗,主要是为了除去单晶方棒的表面杂质。第三步是切片,先将清洗完毕后的方棒与工板粘贴。然后将工板放在切片机上,按照已经设定好的工艺参数进行切割。最后将单晶硅片清洗干净监测表面光滑度,电阻率等参数。

2. 半导体硅片:半导体硅片比光伏硅片的要求更高。

首先,半导体行业使用的硅片全部为单晶硅,目的是为了保证硅片每个位臵的相同电学特性。在形状和尺寸上,光伏用单晶硅片是正方形,主要有边长 125mm,150mm,156mm 的种类。而半导体用单晶硅片是圆型,硅片直径有 150mm(6 寸晶圆),200mm(8 寸晶圆)和 300mm(12 寸晶圆)尺寸。

其次在纯度方面,光伏用单晶硅片的纯度要求硅含量为 4N-6N 之间(99.99%-99.9999%),但是半导体用单晶硅片在 9N(99.9999999%)-11N(99.999999999%)左右,纯度要求最低是光伏单晶硅片的 1000 倍。

最后在外观方面,半导体用硅片在表面的平整度,光滑度和洁净程度要比光伏用硅片的要求高。纯度是光伏用单晶硅片和半导体用单晶硅片的最大不同。

2. p型重参硅的电阻率是多少

1, 半导体材料

由于硅半导体耐高电压、耐高温、晶带宽度大,比其它半导体材料有体积小、效率高、寿命长、可靠性强等优点,因此被广泛用于电子工业集成电路的生产中。高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成P型硅半导体另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路(包括我们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。

2, 太阳能光伏电池板

多晶硅可以直接用于制造太阳能光伏电池板,或加工成单晶硅后再用于制造光伏电池板。先将硅料铸锭、切片或直接用单晶硅棒切片,再通过在硅片上掺杂和扩散形成PN结,然后采用丝网印刷法,将银浆印在硅片上做成栅线,经过烧结,同时制成背电极,并在有栅线的面上涂减反射膜等一系列工艺加工成太阳能电池单体片,最后按需要组装成太阳能电池板。目前,硅光伏电池占世界光伏电池总产量的98% 以上,其中多晶硅电池约占55% ,单晶硅电池约占36% ,其它硅材料电池约占70%。由于多晶硅光伏电池的制造成本较低,光电转换效率较高(接近20%),因而得到快速发展。[4]

3, 集成电路

这是将成千上万个分立的晶体体管、电阻、电容等元件,采用掩蔽、光刻、扩散等工艺,把它们集成一个或几个尺寸很小的晶片上,集结成一个以几个完够的电路。集成电路大大减小了体积、重量、引出线和焊点数目,并提高了电路性能和可靠性,同时降低了成本,便于批量生产,使计算机工业飞速发展。

4, 探测器

由对光照敏感的PN结或PIN结构成的光生伏打型的探测器。PIN结不是突变的PN结,而是在结的P和N侧之间加入本征区I层。该结构的光照表面(如P)区做得较薄,使入射光进入本征区而被吸收,产生空穴-电子对。本征区的强电场使载流子快速飘移,通过本征区。因此,PIN结相同材料的PN结构相比,其响应时间更短。

5,传感器

硅的传感器有压阻传感器,它是将压力转化为电信号。硅片受外力作用时晶格形变,使得电阻率改变。热敏电阻,利用硅的负温度系数效应,当温度升高时,载流子浓度增加,使得电阻率下降。

硅还可用于光敏传感器和磁敏传感器等。

3. 硅 电阻率

硅原子的直径大约是0.25纳米。

硅(台湾、香港称矽xī)是一种化学元素,它的化学符号是Si,唻冄头旧筿称矽。原子序数14,相对原子质量28.0855,有无定形硅和晶体硅两种同素异形体,属于元素周期表上第三周期,IVA族的类金属元素,硅原子的直径大约是0.25纳米。

硅也是极为常见的一种元素,然而它极少以单质的形式在自然界出现,而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式,广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅在宇宙中的储量排在第八位。在地壳中,它是第二丰富的元素,构成地壳总质量的26.4%,仅次于第一位的氧(49.4%)。

硅的矿藏分布:

硅的丰度,引起早期化学家的兴趣。矽(硅)在地球表面的含量仅次于氧,占有将近28%.但是矽(硅)元素并非最早被发现的元素,那是因为从矽(硅)的氧化物中要将矽还原出来是一件非常困难的事。

硅约占地壳总重量的25.7%,仅次于氧。在自然界中,硅通常以含氧化合物形式存在,其中最简单的是硅和氧的化合物硅石SiO。

石英、水晶等是纯硅石的变体。矿石和岩石中的硅氧化合物统称硅酸盐,较重要的有长石KAlSiO、高岭土AlSiO(OH)、滑石Mg(SiO)(OH)、云母KAl(AlSiO)(OH)、石棉HMgSiO、钠沸石Na(AlSiO)·HO、石榴石CaAl(SiO)、锆石英ZrSiO和绿柱石BeAlSiO等。

4. p型硅材料的电导率为

硅guī(台湾、香港称矽xī)是一种化学元素,它的化学符号是Si,旧称矽。

原子序数14,相对原子质量28.09,有无定形和晶体两种同素异形体,同素异形体有无定形硅和结晶硅。属于元素周期表上IVA族的类金属元素。

晶体结构:晶胞为面心立方晶胞。 晶体硅为钢灰色,无定形硅为黑色,密度2.4克/立方厘米,熔点1420℃,沸点2355℃,晶体硅属于原子晶体,硬而有光泽,有半导体性质。硅的化学性质比较活泼,在高温下能与氧气等多种元素化合,不溶于水、硝酸和盐酸,溶于氢氟酸和碱液,用于造制合金如硅铁、硅钢等,单晶硅是一种重要的半导体材料,用于制造大功率晶体管、整流器、太阳能电池等。硅在自然界分布极广,地壳中约含27.6%, 结晶型的硅是暗黑蓝色的,很脆,是典型的半导体。化学性质非常稳定。

在常温下,除氟化氢以外,很难与其他物质发生反应。 硅的用途:

①高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素,形成p型硅半导体;掺入微量的第VA族元素,形成n型和p型半导体结合在一起,就可做成太阳能电池,将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。另外广泛应用的二极管、三极管、晶闸管和各种集成电路(包括我们计算机内的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。

②金属陶瓷、宇宙航行的重要材料。将陶瓷和金属混合烧结,制成金属陶瓷复合材料,它耐高温,富韧性,可以切割,既继承了金属和陶瓷的各自的优点,又弥补了两者的先天缺陷。 可应用于军事武器的制造第一架航天飞机“哥伦比亚号”能抵挡住高速穿行稠密大气时摩擦产生的高温,全靠它那三万一千块硅瓦拼砌成的外壳。

③光导纤维通信,最新的现代通信手段。用纯二氧化硅拉制出高透明度的玻璃纤维,激光在玻璃纤维的通路里,无数次的全反射向前传输,代替了笨重的电缆。光纤通信容量高,一根头发丝那么细的玻璃纤维,可以同时传输256路电话,它还不受电、磁干扰,不怕窃听,具有高度的保密性。光纤通信将会使 21世纪人类的生活发生革命性巨变。

④性能优异的硅有机化合物。例如有机硅塑料是极好的防水涂布材料。在地下铁道四壁喷涂有机硅,可以一劳永逸地解决渗水问题。在古文物、雕塑的外表,涂一层薄薄的有机硅塑料,可以防止青苔滋生,抵挡风吹雨淋和风化。

5. 对于参杂的硅材料,其电阻率

纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米,若掺入百万分之一的硼元素,电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。

硅也是极为常见的一种元素,然而它极少以单质的形式在自然界出现,而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式,广泛存在于岩石、砂砾、尘土之中。硅在宇宙中的储量排在第八位。在地壳中,它是第二丰富的元素,构成地壳总质量的26.4%,仅次于第一位的氧(49.4%)。

6. p型重参硅的电阻率怎么算

P型单晶硅头部电阻率虚高,是由于氧施主形成而引起的。在450℃左右,硅中的间隙氧(不显电性)会转化为氧施主(带负电),从而影响单晶硅的电阻率。使得P型硅晶电阻率虚高,甚至反型。N型硅棒则出现电阻率比实际值更低的现象。

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