1. 三星ssd850evo好吗
我之前快两万买的6850K X99主板，现在显卡是2080FE，硬盘三星全固态，一个970EVO，两个860EVO，系统纯净没有垃圾软件，开机照样20多秒，又能怎样？
2. 三星ssd860evo怎么样
这个跑分还是比较正常的吧！不是太低了
3. 三星ssd840evo
值得买
840evo的最大容量翻倍至1TB，保留最小120GB容量，它在硬件层面上实现主控、闪存的换代，从根本上推动扩容、提高性能;最后它在独门的加速软件上着手，实现SSD闪存作为高速缓存，为深度应用环境提速做准备。840evo是对现有已经非常成熟的840系列产品线布局的一个重要推进，并以接近840的定价重新成为这个价位SSD的性能标杆。
4. 三星850evo固态怎么样
三星固态硬盘PRO和EVO简单来说定位有所区别，PRO定位高端旗舰型号，EVO定位亲民大众型号。我从官方客服得到答案是，EVO用的是闪存颗粒是Samsung V-NAND 3bit MLC，PRO用的闪存颗粒是Samsung V-NAND 2bit MLC，而实际Samsung V-NAND 3bit MLC就是3D TLC颗粒。
所以可以总结为：PRO主要采用的是可靠性和性能非常出色的MLC NAND颗粒，EVO而采用的是性价比且可靠性也非常高的3D TLC NAND颗粒。
到底啥是MLC啥是TLC，大家可能有些晕，我先给大家简单普及下。
颗粒的传统分类：SLC、MLC、TLC
简单来说，NAND闪存中存储的数据是以电荷的方式存储在每个NAND存储单元内的，SLC、MLC及TLC就是存储的位数不同。
SLC（Single-Level Cell）单层式存储每个存储单元仅能储存1bit数据，同样，MLC（Multi-Level Cell）可储存2bit数据，TLC(Trinary-Level)可储存3bit数据。一个存储单元上，一次存储的位数越多，该单元拥有的容量就越大，这样能节约闪存的成本，提高NAND的生产量。
MLC的优势在于，TLC需要识别8种信号，而MLC只需要识别4种信号，可以花更少时间来读取数据。因此，3D NAND出现之前，MLC在性能和可靠性上，是高于TLC的。但是，随着三星的3D TLC的出现，TLC与MLC的性能和可靠性逐渐拉小差距。
3D NAND闪存：三星的杀手锏级产品
刚介绍的NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分，为了进一步提高容量、降低成本，NAND的制程工艺也在不断进步，从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm。虽然先进工艺虽然带来了更大的容量，但是NAND闪存的制程工艺是双刃剑，容量提升、成本降低的同时可靠性及性能都在下降，因为工艺越先进，NAND的硅基越薄，可靠性也越差，厂商就需要采取额外的手段来弥补，但这又会提高成本，以致于达到某个点之后制程工艺已经无法带来优势了。
相比之下，3D NAND解决问题的思路就不一样了，想要提高NAND的容量、降低成本，厂商不需要费劲心思去提高制程工艺了，转而堆叠更多的层数就可以了，这样一来3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都有了保证了。
由于已经向垂直方向扩展NAND密度，那就没有继续缩小晶体管的压力了，所以三星可以使用相对更旧的工艺来生产3D NAND闪存，做成3D V-NAND MLC或者3D V-NAND TLC。现在三星已经就这样做了，Pro是3D MLC，Evo是3D TLC。使用旧工艺的好处就是P/E擦写次数大幅提升，而且电荷干扰的情况也因为使用旧工艺而大幅减少。
过去房子基本都是一层平房，要想在固定大小的房子里隔出更多的房间，就需要压缩每个房间的空间。随着租客越来越多，房间空间越来越小了，只能放一张床了，再继续压缩的话，人都住不了。怎么办？聪明的建筑师想到了可以在房子上再盖房子，拓展垂直空间。现在好了，有人可以搬到楼上去，大家再也不用挤在那么小的房间。3D NAND闪存思想就是这样的，不是一味的在一个平面提升闪存密度，而是堆积多个平面，达到提升闪存容量的目的。将平房增加楼层盖成高楼，单位面积内可容纳的人就会更多，这点是同理的。
由此我们也可以得出结论3D MLC>3D TLC>2D MLC>2D TLC，现在不管购买三星PRO还是EVO都不用过分考虑SSD闪存寿命问题，可能电脑主机完全淘汰了SSD还健在，而从正常使用考虑三星EVO采用3D TLC技术也足以应对日常数据处理，追求更高性能的用户则可以考虑三星PRO系列产品，性能更为出色！
5. 三星固态硬盘750evo和850evo
750便宜。二者主要的区别在于寿命。
1、这两个盘用不同的主控，850的快一些，但差距不大。
2、850Evo的寿命是写入75T左右，而750才35T，寿命很短。一般的MLC在200T以上。
3、850evo是三星的主流盘，750是面对低端市场的。价格便宜。