1. 国产光刻机什么时候突破
光刻机突破对于中国来说有重大意义。
首先，光刻机的突破是我国科技突破美国卡脖子的最后一大关。目前美国正在纠集所有的芯片尖端盟友组成芯片联盟，专门卡中国科技发展的脖子。如果中国突破了光刻机技术，那么美国最后一个卡脖子的关键技术就被破解了。
其次光刻机技术是芯片生产的核心技术，突破光刻机技术对我国高科技发展来说具有全面的推动作用，将促进我国在计算机，智能化，通信技术等尖端领域成为世界领先的国家。
另外突破光刻机技术对于我国打破西方垄断芯片和高科技领域具有极其重要的意义。将使得以美国为首的西方国家彻底失去在世界贸易格局中的有利地位，从而推动世界的多极化，将西方彻底推向衰落。
2. 国产光刻机重大突破
暂时没有新突破。
我国目前光刻机最新的是上海微电子去年底通过技术检测和验证的28纳米duv光刻机，预计今年可以量产。对于euv极紫外光光刻机，目前暂时还没有新的突破，像中科院的euv光源、长春国科精密的曝光系统、长春光机所的镜头组目前还无法达到euv等级。
3. 国产光刻机最新进展
答：中国最少要20年左右才能造出2纳米左右的光刻机！现在世界上最先进的光刻机制造厂家是荷兰的阿斯麦公司，他最先进的光刻机是13.5nm光源的EUV光刻机，使用台积电最先进的生产工艺现阶段能达到3nm工艺节点。中国最先进的光刻机是上海微电子90nm光刻机，与世界先进水平差距比较大！
4. 国产光刻机最近进展
中国目前最先进的光刻机是上海微电子的SSA600系列。
SSX600系列步进扫描投影光刻机采用四倍缩小倍率的投影物镜、工艺自适应调焦调平技术，以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术，可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求。
5. 中国光刻机什么时候能突破
中国想要造出高端芯片，那么，必须拥有自己的光刻机。但是光刻机这是一个横跨多领域，多学科的的顶级设备。中国想要造出高等级的光刻机，那么需要在多个学科都有巨大的突破，如果从现在开始努力，并且不断有突破，不断有奇迹的话，那么大概十年以后，中国就能有自己生产的高端芯片了。
6. 中国产光刻机的新突破
是真的。
光刻机，又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等，是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。
我国很早就在研发光刻机，之前生产出来的只不过是低端的光刻机。2016年，上海光电就生产制造出了90纳米的光刻机，占据着我国市场80%的份额，虽说低端，但满足大多数需求是够的。象尖端手机需要的芯片我们目前还被西方国家卡脖子。但在国家的大力支持下，在国人日夜的攻坚下，上海光电28纳米光刻机已研发成功，今年明年将量产。后续我们还将继续突破。
2018年11月29日，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制，光刻分辨力达到22纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10纳米级别的芯片。