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krf光刻机和arf光刻机的区别(光刻机与激光)

来源:www.haichao.net  时间:2023-02-04 22:35   点击:223  编辑:admin   手机版

1. 光刻机与激光

光刻机一般是用惰性气体激光。

光刻机通常是用惰性气体产生的准分子激光,准分子激光是一个冷的紫外光,它是准分子产生的激光,就是一种准分子物质。这种物质叫二聚体气体,这种气体在强烈的一些电厂的照射下,它会产生一种紫外光,这种紫外光,叫准分子激光,这种准分子是一种相当不稳定的物质,它稍纵即逝,我们称它为准分子。光子能量波长范围为157-353纳米,寿命为几十毫微秒。阿斯麦尔的EUV光刻机用的是CO2产生激光,再轰击锡滴产生13.5纳米的极紫外光。

2. krf 光刻机

0.35um光刻机不先进,属于低端机型。

光刻机目前最先进的是荷兰阿斯麦尔公司生产的13.5纳米光源的euv光刻机,你所说的0.35um光刻机是350纳米制程的,属于非常低端机型。

光刻机的发展分为五代,从低到高分别是g线436纳米,i线365纳米,KrF248纳米,ArF193纳米,EUV13.5纳米。所以你说的这个350属于第二代光源机型

3. krf arf光刻胶

晶瑞电材:公司亮点:国内最早规模量产光刻胶的少数几家企业之一。

2.南大光电:公司亮点:MO源产业化生产的企业。

3.容大感光:公司亮点:行业内生产PCB感光油墨产品品种最为齐全的企业之一。

4.江化微:公司亮点:国内湿电子化学品龙头。

5.上海新阳:公司亮点:主营半导体行业所需电子化学品,同时参股子公司已量产大硅片。

6.彤程新材:公司亮点:中国最大的特种橡胶助剂生产商之一。

7.飞凯材料:公司亮点:我国主要的光纤光缆涂覆材料供应商之一。

4. arf光刻机是什么意思

光源最高13.5纳米。

光刻机光源目前最高为13.5纳米,是euv深紫外光光源。光刻机光源分为五代,目前使用最多的是第四代和第五代,第五代就是euv光刻机。而第四代是duv光刻机,为193纳米深紫外光光源,也叫arf光刻机光源,是目前芯片制造公司或代工厂使用量最大的一类光刻机。

5. Arf光刻机

曝光系统最核心的部件之一是紫外光源。

常见光源分为:

可见光:g线:436nm

光刻机(lithography)又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印的技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。紫外光(UV),i线:365nm

深紫外光(DUV),KrF 准分子激光:248 nm, ArF 准分子激光:193 nm

极紫外光(EUV),10 ~ 15 nm

6. 光刻胶krf和arf

研究开发光刻胶系列产品就是光刻胶研发。

例如:南大光电“ArF光刻胶产品开发和产业化”是宁波南大光电承接国家“02专项”的一个重点攻关项目。本次产品的认证通过,标志着“ArF光刻胶产品开发和产业化”项目取得了关键性的突破,成为国内通过产品验证的第一只国产ArF光刻胶。

光刻胶是半导体芯片制造过程中的核心材料之一,经过紫外光、电子束等照射,光刻胶得到曝光,化学性质发生改变,经过显影液的洗涤,图案会留在衬底上。光刻胶分为KrF(248nm)、ArF(193nm)和EUV(13.5nm)几种,括号中的数值为曝光光源的波长。

7. krf是什么意思 光刻

是美国的品牌。

光刻技术作为当前主流的光刻技术,主要包括:特征尺寸为0.1μm的248 nm KrF准分子激光技术;特征尺寸为90 nm的193 nm ArF准分子激光技术;特征尺寸为65 nm的193 nm ArF浸没式技术(Immersion,193i)。其中193 nm浸没式光刻技术是所有光刻技术中最为长寿且最富有竞争力的,也是目前如何进一步发挥其潜力的研究热点。传统光刻技术光刻胶与曝光镜头之间的介质是空气,而浸没 式技术则是将空气 换成液体介质

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