1. 光耦发光二极管电压是多少
依光偶的工作原理1 2脚为发光二极管发射端,电压在1.2V左右,
3 4脚为光敏管接受端,电压在7,8V左右
2. 光耦二极管导通电压
1.2伏左右的。。。。
3. 光耦接发光二极管
431提供一个稳定的基准电压，输出电压通过一个固定阻值的限流电阻和光耦内部发光二极管加到基准电压上。
开关电源输出电压降低时，由输出功率431终止两个分压电阻的电压较小的信号采集、封闭与光学耦合，电流信号通过光耦合传递给主（高压）。
PWM集成电路将光耦合低检测二次电压信号本身提出了MOS开关开车的责任比例，提高输入功率，输出电压高。
4. 发光二极管的电压
红色发光二极管的工作电压最低，约1.6-1.7V；其次是普绿色、黄色，1.7-1.8V；白色1.8-1.9V；橙色1.8V-2.4V；蓝、白、翠绿电压范围：2.8V-3.5V。
发光二极管的反向耐压只有借助兆欧表和万能表测量。
将二极管反向接到兆欧表两端，并用万能表的500V档监测二极管的电压，逐渐增加兆欧表的电压，二极管被击穿时，电压不会继续升高的，这时万能表指示的电压就是二极管的反向耐压。一般只有几十伏。测量时，因为兆欧表的电流很小的缘故，不用担心二极管损坏，标准测试电流为20MA。
5. 发光二极管的发光电压
不同颜色的发光二极管，工作电压是不一样的。
红色，黄色大概在1.8v左右，绿色，蓝色在2.8v左右。额定电流时20MA。 如果加3v的电压的话你自己计算一下就可以了。
发光二极管是现代电子制作中常用的电子元件之一，发光二极管是电流控制元件，通过流过的电流，直接将电能转变为光能，故也称光电转换器。1、发光二极管电阻计算方法假设正向导通电压值为3.5V，功率3瓦的发光二极管，外加最高4.2V的锂电池，这时的最大电流应为：I=3W/3.5V=0.85A，最小串联电阻应为：R＝（4.2－3.5)/0.85=0.82欧姆。或许你没有合适的电阻，那么0.5欧姆的也可以，我们计算一下：电流：I＝（4.2－3.5)/0.5=1.4A 功率为：P＝I×V＝1.4×3.5=4.9W。2、发光二极管特点:发光二极管最大的特点是两面性，一方面很耐用，有长达5万小时的使用寿命；另一方面很脆弱，抗过载能力特差。普通的雷电感应、静电、反向过压、正向过流很容易将其击穿，发光二极管不仅发热而且特怕热，当其结温高于80℃就直接影响使用寿命，特别是白色发光二极管，电源使用不当很容易出现早期光衰现象。
6. 光耦驱动发光二极管
判断hcnr200光耦好坏的方法：用数字万用表的PN结测量端，红表笔“电池+极”接光耦的“1”端，黑表笔“电池-极”接光耦的“2”端（即使光耦的发光二极管正向导通），用另一电表测量“3”“4”端电阻，断开或接通输入端（发光二极管端），输出端电阻应有大幅度变化，说明改光耦是好的。另发光二极管端万用表可用电池串限流电阻代替。
7. 光耦是二极管吗
光电耦合器的检测：
判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。更可靠的检测方法是以下三种。
1. 比较法
拆下怀疑有问题的光耦，用万用表测量其内部二极管、三极管的正反向电阻值，用其与好的光耦对应脚的测量值进行比较，若阻值相差较大，则说明光耦已损坏。
2. 数字万用表检测法
光耦检测为例来说明数字万用表检测的方法，检测时将光耦内接二极管的+端{1}脚和-端{2}脚分别插入数字万用表的Hfe的c、e插孔内，此时数字万用表应置于NPN挡;然后将光耦内接光电三极管c极{5}脚接指针式万用表的黑表笔，e极{4}脚接红表笔，并将指针式万用表拨在R×1k挡。这样就能通过指针式万用表指针的偏转角度——实际上是光电流的变化，来判断光耦的情况。指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低;若表针不动，则说明光耦已损坏。
3. 光电效应判断法
以光耦合器的检测为例，将万用表置于R×1k电阻挡，两表笔分别接在光耦的输出端{4}、{5}脚;然后用一节1.5V的电池与一只50～100Ω的电阻串接后，电池的正极端接PC111的{1}脚，负极端碰接{2}脚，或者正极端碰接{1}脚，负极端接{2}脚，这时观察接在输出端万用表的指针偏转情况。如果指针摆动，说明光耦是好的，如果不摆动，则说明光耦已损坏。万用表指针摆动偏转角度越大，表明光电转换灵敏度越高。
8. 光耦合器由发光二极管和什么组成
1.光耦结构差异
光电耦合器和OCMOSFET的主要内部结构。
光电耦合器当发光二极管（LED）点亮光电晶体管时，光会产生从集电极流向光电晶体管基极的光电流。因此，当LED不点亮时，光电晶体管被切断，并且当LED强烈地点亮时，大的光电流从集电极流向基极，并且光电晶体管稳定地导通。与简单地使基极-集电极短路时不同，即使集电极-发射极电压小于晶体管的基极-发射极正向电压，光电流仍然流动并且光电晶体管导通。
OCMOSFET装有光伏电池，当LED点亮时，光伏电池对栅极电容充电以增加栅极-源极电压，从而导通了MOSFET中的MOSFET。接触式的情况。对于断开型触点，FET导通而没有栅源电压。但是，当LED点亮时，光伏电池会反向偏置栅极-源极电压，从而切断FET。当make-typeOCMOSFET关闭时，光伏电池不仅停止充电，而且内部放电器开关自动闭合，从而迫使栅极放电。结果，栅极-源极电压立即下降。
OCMOSFET中的两个FET反向串联在一起。因此，当OCMOSFET导通时，两个FET都是双向导通的。但是，当OCMOSFET不导通时，仅在施加电压被切断的正向FET上导通，而另一个FET的寄生二极管导通。
2.光耦特征差异
由于上述这些结构差异，光电耦合器和OCMOSFET具有以下特征差异：
1.尽管光耦合器在输出中仅传导DC（直流电），但OCMOSFET可以在FET中传导DC和AC（交流电）
2.通常，光耦合器的工作速度为微秒或更高，而OCMOSFET的工作速度为毫秒。
3.尽管光耦合器的输出传导特性随输入电流值而变化，但OCMOSFET的输出传导特性与输入电流值无关。
4.光耦合器对应于输入变为导电。但是，在施加输入时，有两种OCMOSFET：一种导电（a触点：闭合型触点）和一种断开（b触点：断开型触点）。因此，尽管OCMOSFET不能期望像光电耦合器这样的高速操作，但是OCMOSFET可以在很小的输入电流（小至几毫安）的情况下切换交流电以及在安培范围内的大电流。
3.应用差异
通常，光耦合器仅用于传输直流信号。它的应用包括：
1.脉冲传输（在常规数字电路中）另一方面，由于OCMOSFET的工作速度比光电耦合器的工作速度慢，因此很少用于信号传输。但是，由于MOSFET的双向传导和低导通电阻特性，它主要用作中断AC信号的“电子开关”。因此，OCMOSFET也被称为SSR（固态继电器）。
9. 光耦的发光二极管压降
约在1~1.5V左右。
R3的作用是为了抗干扰。首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。对24V输入来讲，光耦压降1.3V，剩余电压22.7V，对6.8k电阻，光耦原边电流约3.3mA，满足其要求。至于22k电阻，要看具体应用。其作用大约有2种：1）抗干、提高可靠性，目的是防止启动过程中或线路干扰造成的电压尖峰使得光耦误导通，通过并联电阻使得能量并不大的干扰信号通过该电阻释放且不会导致光耦导通；
