1. mosfet寄生二极管
这种磁环一般是用来抑制MOSFET或者二极管的尖峰电压的。主要是利用磁环在不同的频率下表面出来的阻抗不一样。你可以翻翻资料，看看其阻抗的曲线就明白了。在每一个二极管的管脚上套上一个小磁环或者串联小阻值的电阻来均流的。
2. IGBT寄生参数
IGBT击穿一般是过压或者过流，还有就是过温了，门极电压超过规定的范围会导致G-E击穿，C-E间的电压超过Vces也会击穿，而且过压是很容易将IGBT击穿的，比如关断的时候电压尖峰过大，超过了Vces的电压就有可能击穿，而导致电压尖峰过大的原因主要是IGBT所在回路的寄生电感过大或者di/dt过大造成的，可以通过调整门极电阻来控制。过流击穿一般就是短路了，温度过高也会损坏IGBT的Die，具体要根据实际应用情况来分析。
3. igbt体二极管有什么用
通过电感来均流至于不均流的原因，肯定是每个二极管的导通压降都不一样的，那么直接并联走过的电流也肯定不一样了。
此外二极管还是负温度系数的，温度越高导通压降越低，这使得二极管均流效果没IGBT好，IGBT和MOSFET都是正温度系数的，所以适合并联
4. mos管寄生二极管
二极管有很多种，你问的太笼统，但mos管在一定程度上是可以当二极管用的，只要不超过规格就行，把mos管有字的面朝你，从左往右，第一脚和第三脚接一起，第二脚就相当于二极管负极，第三脚（或第一脚）就相当于二极管正极。
5. mos 寄生二极管
B3级易燃型
MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。
在MOS管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS管中存在此二极管，在集成电路芯片内部通常是没有的。
6. IGBT具有寄生的反并联二极管
IGBT单管焊机的驱动电压一般是2~3V，但是都不会超过18V。驱动必须使用交流电流。
IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。
由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2~3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
IGBT 的转移特性与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时，IGBT 处于关断状态。
在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。
7. IGBT 二极管
先说普通整流吧，一般是二极管整流或是可控硅整流，即使是用全波桥式整流，由于整流后面要加入大量的滤波电容，而二极管或可控硅都是在为后面的电容冲电提供服务，只有电容上的直流电低于二极管或可控硅送过来的整流后的电压值时，二极管或可控硅才导通，电容的冲放电的特性就决定了电源侧的电压与电流波形不能保持同步，从设计和使用角度，希望滤波电容越多越好，使直流电尽可能的平滑，但这样就造成大量谐波污染电网，设备的输入功率因数也非常低。
而IGBT整流，加入了复杂的控制电路，一般是用二极管全桥与IGBT相结合的主电路，通过对IGBT的控制，控制IGBT的导通与关闭，模拟出一个正弦交流电流的波形，而且与输入电压波形同相位，这样就把功率因数近似提高到1，大量降低了谐波的产生，所以被越来越多的使用。
