1. 二极管If电流指什么
硅二极管正向导通工作压降=0.6~0.8v，反向击穿电压根据型号不同有很大差别，如
1N4001=50V、
1N4002=100V、
1N4003=200V
1N4004=4001
N4005=600
1N4006=800v
1N4007=1000v；锗二极管正向导通工作压降=0.2~0.4v，反向击穿电压很小，一般为40V左右。
1.伏安特性
（1)正向特性：当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。
(2)反向特性：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。当V≥VBR时，反向电流急剧增加。VBR称为反向击穿电压。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4V则主要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，
2.正向压降(Vf)
当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压称为二极管的。“正向压降”。說明此正向压降時通常必须注明对应之电流(Vf@If),而且一般应用状况下,系统会希望此二极管之正向压降愈小愈好。
2. 二极管if电流指什么
没有480e这种规格型号的二级管。对于二级管可能都很熟悉它主要有以下几项参数:
一、反向饱和漏电流ⅠR，指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流该电流和半导体材料和温暖度有关。
二、额定整流电流ⅠF，二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
三、最大平均整流电流Ⅰo，在半波整流电路中流过负载电阻的平均整流电流最大值。
四、最大浪涌电流ifsm，允许流过的过量的正向电流，它不是正常电流而是瞬间电流这个值相当大。
五、最大反向峰值电压VRRM，目前最高的vrrm可达几千伏。
六、最大直流反向电压VR，VR是连续加直流电压时的值。
七、最高的工作频率Fm，由于pn结的结电容存在，当工作预率超过某一值时，它的单向导电性能差，点接触式Fm值较高。
八、反向恢复时间Trr，当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
九、最大切率P二极管中有电流过就会发热这个极限参数对稳压二极管、可变电阻二极管显得特别重要。
3. 二极管if电流指什么意思
二极管漏电流是指二极管处在反向电压时流过二极管的电流，这个电流都很小。
发光二极管的反向电压很低，而且发光二极管都在直流电压下工作一般不考虑漏电流。
1.最大工作电流I(CM)
它是指发光二极管长期工作时，所允许通过的最大电流。
2.正向电压降VF
它是指通过规定的正向电流时，发光二极管两端产生的正向电压。
3.正常工作电流IF
它是指发光二极管两端加上规定的正向电压时，发光二极管内的正向电流。
4.反向电流IR
它是指发光二极管两端加上规定的反向电压时，发光二极管内的反向电流。该电流又称为反向漏电流。
5.发光强度IV
它是一个表示发光二极管亮度大小的参数，其值为通过规定的电流时，在管心垂直方向上单位面积所通过的光通量，单位为，mcd。
6.发光波长λ
它是指发光二极管在一定工作条件下，研发出光的峰值(为发光"强度最大的一点)对应的波长，又称为峰值波长(λp)。由发光波长便可知发光二极管的发光颜色。图1所示为磷砷化嫁发光二极管的光谱特性曲线，图中所示的发光波长为6700A左右，故发红光。
4. 二极管的if是什么
二极管外标“RU3A”是该二极管的型号。RU3A是快恢复高频二极管，多用做彩电彩显的高频开关二极管。其主要技术参数：硅材料、VR=600V、If=1.5A、Vf=1.5V、Lfsm=20A、Trr=400ns；封装形式：DO15L；可以代换RU3A的二极管：RU4AM、RGP15J、RGP30J。
5. 二极管ifsm是什么意思
ES1J在SMA封装里采用的1个芯片，其尺寸都是50MIL，是一款小电流、贴片超快恢复二极管。ES1J的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ES1J采用GPP芯片材质，里面有1颗芯片组成。ES1J的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.7V，恢复时间(Trr)达到35ns，其中有2条引线。
型号：ES1J
封装：SMA
特性：超快恢复、贴片
电性参数：1A 600V
芯片材质：GPP
正向电流(Io)：1A
芯片个数：1
正向电压(VF)：1.70V
芯片尺寸：50MIL
浪涌电流Ifsm：30A
漏电流(Ir)：5uA
工作温度：-40~+150℃
恢复时间(Trr)：35ns
引线数量：2
ES1J
ES1J贴片超快恢复封装系列。它的本体长度为4.6mm，整体长度为5.28mm，宽度为2.9mm，高度为2.62mm，脚宽度为1.6mm。
以上就是关于ES1J-ASEMI超快恢复二极管ES1J的详细介绍
6. 二极管 if
类别：分离式半导体产品
家庭：单二极管/整流器
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：1V @ 10mA
电压 - (Vr)（最大）：100V
电流 - 平均整流 (Io)：500mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电：25nA @ 20V
二极管型 ：标准
速度：快速恢复 = 200mA (Io)
反向恢复时间(trr)：4ns
电容@ Vr, F：2pF @ 0V, 1MHz
安装类型：通孔，轴向
封装/外壳：DO-204AH, DO-35, 轴向
7. 二极管工作在最大整流电流IF时会损坏
二极管的基本应用
一、 实验目的
1． 加深理解二极管器件的特性；
2． 了解二极管器件的一般应用；
二、实验所用仪器设备及用具
1、双踪示波器
2、低频信号发生器
3、万用电表
4、电烙铁等
三、实验原理
从二极管的伏安特性曲线可知，当二极管加正向电压VF时，若VF< 0.4V时，正向电流IF很小，几乎为零；随着VF增大，IF迅速增加。当VF接近0.8V时，伏安特性曲线近似为一垂直线。这说明当二极管的正向电压大于某一数值时（常用硅管0.7V，锗管0.4V），不论通过二极管的电流有多大，（小于二极管的最大整流电流），二极管两端的压降基本不变。
当二极管加反向电压VR时，只要VR小于其击穿电压，则二极管内只有少数载流子VR作用下形成反向饱和电流IR，由于反向饱和电流IR比正向电流IF小很多，可以认为二极管在加反向电压时是截止的。
当二极管的反向电压增加到一定大小后，反向电流出现急剧增大的现象，这一现象称为“反向击穿”。
四、实验内容：
1．判别二极管1N4007的好坏和极性；
2．分别测绘下列各电路的
输出波形Uo。
其中图1.1为双向限幅电路，图1.2为半波整流电路，图1.3为箝位电路。输入信号 Ui为频率f=1khz，Vp-p=8V的正弦波信号。
五、实验步骤
1、在正确判别二极管极性的基础上，认真连接好电路；
2、在电路输入端加入频率f=1khz，Vp-p=8V 的正弦波输入信号，观察并画出所对应的输出信号波形。
五、注意问题：
1． 所用二极管所能承受的最大反向电压数值的大小；
2． 画波形时注意输入信号、输出信号在数值和相位上的对应关系；
3．正确使用测量仪器
（1） 利用双踪示波器测量，用“CH1”测量输入信号Ui，“CH2”测量输出信号 。使用前，先将两路探头对地短接，通过调整上下左右位置旋钮，使两路的扫描线与荧屏中间横坐标线重合，以方便比较两路信号的大小和相位；
（2） 两路取相同电压分度数值，以方便比较波形并方便正确画图；
（3） 测量输入的第一通道“CH1”置“AC”位置而测量输出的第二通道“CH2”置“DC”位置（想一想为什么？）。
六、实验报告及思考题：
1． 认真画出三种电路的输出波形 ，并正确标注电压数值。
2． 在图1.3中，改变二极管D的极性，则输出波形有何变化？试画出此时的输出波形。
3． 整流电路、限幅电路和箝位电路是利用二极管的什么特性实现其工作的？
8. 二极管ifm是什么意思
一：二极管参数详解
普通发光二极管的正向饱和压降为１．６Ｖ～２．１Ｖ, 正向工作电流为５～２０ｍＡ
LED的特性
1．极限参数的意义
（1）允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。
（2）最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。
（3）最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。
（4）工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。
2．电参数的意义
(1)正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。
(2)正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。
(3)V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系
在正向电压正小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。
