1. 高压肖特基二极管
SI器件和SIC器件的比较两者主要是性能不同。 SiC是什么? 碳化硅(SiC)是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类：一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型，称为3C或 β-SiC，这里3指的是周期性次序中面的数目;另一类是六角型或菱形结构的大周期结构，其中典型的有6H、4H、15R等，统称为α-SiC。与Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使SiC可以工作于650℃以上的高温环境，并具有极好的抗辐射性能。 相比于Si器件，SiC功率器件的优势： 作为一种宽禁带半导体材料，SiC对功率半导体可以说是一个冲击。这种材料不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上;在相同反压下，SiC材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。SiC器件的工作温度可以达到600℃，而一般的Si器件最多能坚持到150℃。 因为这些特性，SiC可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于Si 器件难以胜任的场合。以SiC肖特基二极管为例，它是速度最快的高压肖特基二极管，无需反向恢复充电，可大幅降低开关损耗、提高开关频率，适用于比采用硅技术的肖特基二极管高得多的操作电压范围，例如，600V SiC肖特基二极管可以用在SMPS中，300V SiC肖特基二极管可以用作48~60V快速输出开关电源的整流二极管，而1，200V SiC肖特基二极管与硅IGBT组合后可以作为理想的续流二极管。 采用硅材料的MOSFET在提高器件阻断电压时，必须加宽器件的漂移区，这会使其内阻迅速增大，压降增高，损耗增大。阻断电压范围在1，200~1，800V的硅MOSFET不仅体积大，而且价格昂贵。IGBT虽然在高压应用时可降低导通功耗，但若开关频率增加时，开关功耗亦随之增大。因此IGBT在高频开关电源上亦有其本身的限制。而用SiC做衬底的MOSFET，可轻易做到1，000～2，000伏的MOSFET，其开关特性(结电容值，开关损耗，开关波型等)则与100多伏的硅MOSFET相若，导通电阻更可低至毫欧值。在高压开关电源应用上，完全可取代硅IGBT并可提高系统的整体效率以及开关频率。 价格差异： 单就Si器件和SiC器件的价差来看，确实有较大的差异，但如果从SiC器件带来的系统性能提升来看，将会发现其带来的总体效益远远超过两类器件的价差。在SiC特别适合的高压应用中，如果充分发挥SiC器件的特性，这一整体优势表现得非常明显。
2. 肖特基二极管稳压二极管
是肖特基稳压二极管。
3. 高压肖特基二极管的用处
因为肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，所以开关电源要用肖特基二极管。
开关电源全称开关模式电源，又称交换式电源、开关变换器，是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。
开关电源的功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。
开关电源的输入多半是交流电源（例如市电）或是直流电源，而输出多半是需要直流电源的设备，例如个人电脑，而开关电源就进行两者之间电压及电流的转换。
4. 高耐压肖特基二极管
ss54肖特基二极管可用ss34肖特基二极管代替。二者它们都是肖特基二极管，耐压值都是40V，差别就是工作电流不同，SS34额定工作电流为3A，SS54额定工作电流为5A。若电流不大，可以互换使用。
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
5. 肖特基稳压二极管
LM2596是开关稳压集成电路，电路中的那个肖特基二极管是用来保护LM2596的。因为工作时电路中那个线圈会产生感生电压，该电压可能会损坏LM2596。这个肖特基二极管不能省略。
6. 肖特基二极管电压
肖特基二极管，电压 30V,电流200mA,
7. 常用肖特基二极管
开关电源频率很高，整流时用普通二极管会造成二极管损耗增大发热，甚至完全不能工作（说通俗点就是普通二极管接电容过大跟不上开关电源频率的节奏）。
而肖特基二极管反向恢复时间短，速度快，常用来做开关电源整流。另外肖特基正向导通压降也小，发热小。它的缺点是耐压都比较低。
8. 高压肖特基二极管mur1560
当收音机在接收630KHz电台时，天线回路谐振在630KHz，与本机振荡1095KHz混频后，得到465KHz的中频，进入中频放大，经检波、低放、功放听到声音。这时在附近如果有一个1560KHz(比630高出两个465KHz)的电台信号，窜入天线回路后（虽然天线回路谐振在630KHz，但仍会有一些信号进入），也进入变频电路，与1095KHz混频后，也能得到465KHz的中频信号，成为干扰信号。或者在接收1560KHz频率时，630KHz的频率也会窜入，同样会得到465KHz的中频，成为干扰信号。这两个电台信号与本机振荡频率各相差465KHz，如同“镜像”一样。镜像抑制就是在接收630KHz时，对1560KHz信号的制抑制能力，或在接收1560KHz信号时对630KHz信号的抑制能力。
9. 高频肖特基二极管
肖特基指的是快速恢复，肖特基二极管是快速恢复二极管，常用于高速高频电路。
10. 低压肖特基二极管
肖特基二极管在各类的电子产品中占有非常重要的位置，特别是大功率，低压降的肖特基二极管，更是在大功率电子产品中不可缺少的。大功率电源上面用的肖特基二极管和快恢复二极管，这两种管子是在大功率电源里面是缺一不可的，所以要熟悉和掌握肖特基二极管和快恢二极具体的性能、特点、使用范围等，都是对电子产品的设计和制作起着很重要的地位，随着电子产业的迅速发展和行业中不断的对电子元器件提出新的要求，所以电子行业也在不断的采用新的材料、新的工艺和不断的推出新产品。
