1. 晶体二极管的伏安特性电路图
半导体二极管最重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时，它呈现的电阻（正向电阻）比较小，通过的电流比较大，当外加反向电压时，它呈现的电阻（反向电阻）很大，通过的电流很小（通常可以忽略不计）。
反映二极管的电流随电压变化的关系曲线，叫做二极管的伏安特性。当外加正向电压时，随着电压U的逐渐增加，电流I也增加。但在开始的一段，由于外加电压很低。
外电场不能克服PN结的内电场，半导体中的多数载流子不能顺利通过阻挡层，所以这时的正向电流极小（见曲线的OA段，该段所对应的电压称为死区电压，硅管的死区电压约为0～0．5伏，锗管的死区电压约为0～0．2伏）。
当外加电压超过死区电压以后，外电场强于PN结的内电场，多数载流子大量通过阻挡层，使正向电流随电压很快增长（曲线中的AB段）。当外加反向电压时，所加的反向电压加强了内电场对多数载流子的阻挡，所以二极管中几乎没有电流通过。但是这时的外电场能促使少数载流子漂移，所以少数载流子形成很小的反向电流（曲线中的OC段）。
由于少数载流子数量有限，只要加不大的反向电压就可以使全部少数载流子越过PN结而形成反向饱和电流，继续升高反向电压时反向电流几乎不再增大（曲线中的CD段）。
当反向电压增大到某一值（曲线中的D点）以后，反向电流会突然增大，这种现象叫反向击穿，这时二极管失去单向导电性。所以一般二极管在电路中工作时，其反向电压任何时候都必须小于其反向击穿时的电压。
2. 晶体二极管的伏安特性有哪些
极管是由半导体材料制成的，带空穴的P(Positive)型半导体和带自由电子的N(Negative)型半导体被制作在同一块硅片上，在它们的交界面上自由电子和空穴由于浓度差发生运动(称之为扩散运动)，相互结合失去电性，留下交界面附近的正负离子(这样一个区域称之为耗尽层)，形成内部电场和空间电荷区，这种电场又进一步造成了空穴和电子的运动(称之为漂移运动)，最终扩散运动和漂移运动达到动态平衡，空间电荷区不再扩大，内部电场保持稳定。
二极管被加上一个与内部电场方向相反的电压(称之为正向导通电压)时，内电场就会被削弱，当外加电场大于内电场时，漂移运动就能源源不断地进行，形成电流，表现出导体的性质。参考《模拟电子技术基础》(童诗白 编)《电子技术基础：模拟部分》(康华光 编)
3. 晶体二极管的伏安特性电路图解
二极管是最常用的电子元件之一，它最大的特性就是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都是由二极管来构成的，其原理都很简单。
极性判别：
一、普通二极管有色端标识一极为负极；
二、1、发光二极管可根据引脚长短进行识别，长脚为正极、短脚为负极。
2、引脚长度一样的发光二极管可通过内部金属片大小进行识别，金属片较大的一边为负极，金属片较小的为正极。
3、外观无法识别二极管正负极特性情况下，可利用万用表进行检测。万用表中间旋钮调到“通断档”，根据读书判断引脚所在一边的正负极。读书在非“1”的情况下，红笔为正极，读书为“1”的情况下，黑笔为正极。
三、晶体二极管由一个PN结，两条电极引线和管壳构成。在PN结的两侧用导线引出加以封装，就是晶体二极管。晶体二极管的字母符号为V。PN结的导通方向是从P型半导体到N型半导体，即P到N导通（P为正极，N为负极） 。PN结正向导通，反向截至，具有单相导电的特性。
4. 晶体二极管的伏安特性研究电路图
1、伏安特性，是指一种元件两端所加的电压与通过它的电流之间的关系。例：对于一个电阻来说，它两端的电压U与通过它的电流I是成正比的，那么就是电阻的伏安特性曲线是一条直线。
2、伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流、横坐标表示电压Ｕ，以此画出的Ｉ－Ｕ图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流Ｉ、横坐标表示电压Ｕ，以此画出的Ｉ－Ｕ图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，是物理学常用的图像法之一。
5. 晶体二极管伏安特性曲线说明
1，电路：电源、开关、滑动变阻器、电流表、二极管、保护电阻串联连接，二极管上并联电压表。
2，建立坐标系：横轴为电压，纵轴为电流。
3，打开开关接通电路，调节滑动变阻器，对电压及对应的电流的变化作详细记录。
4，根据记录的数据，在坐标系中画出相应的点，把这些点连成线就是二极管的伏安特性曲线。
6. 二极管伏安特性实验电路图
伏安特性曲线直观地显示了加在二极管两端电压与电流的关系，有了电压与电流的关系曲线那么曲线上任意一点坐标x与y的比值即反映出二极管内阻的变化。
7. 二极管伏安特性简图
二极管是温度的敏感器件，温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为：随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小；反向特性曲线下移，即反向电流增大。
一般在室温附近，温度每升高1℃，其正向压降减小2～2.5mV；温度每升高10℃，反向电流大约增大1倍左右。
二极管的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
当温度升高时，二极管的反向伏安特性曲线下移，是载流子增多半导体导电性变好，漏电电流增大造成的。
8. 半导体二极管的伏安特性曲线图
二极管的伏安特性曲线通常是横坐标是电压、纵坐标是电流,即 I－－U曲线.
在这条曲线上某点处的切线的斜率,表示在该状态下二极管的电导（即电阻的倒数）.
所以,二极管的电阻等于曲线某点切线斜率的倒数.在不同状态,对应不同的电阻值.