1. 单片机eeprom和flash的区别
单片机的性能指标只要表现在
1、单片机的工作的最高频率
2、同一频率下单片机执行同一功能的速度
3、单片机正常工作时承受的电压波动大小
4、单片机的资源（中断、功能模块（UART、AD、SPI、TIMER、PWM、EEPROM、FLASH）等）
5、单片机指令效率
6、扩展性
7、抗干扰性
2. eeprom跟flashrom有什么区别
Flash ROM也称为闪速存储器，在本质上属于EEProM(电可擦除只读存储器)。平常情况下Flash ROM与EProM一样是禁止写入的，在需要时，加入一个较高的电压就可以写入或擦除。 由以上定义可知，ISA, FWH ,LPC.这三种工作方式的载体----BIOS芯片，都可以统称“Flash ROM”。
3. flash模拟eeprom缺点
ISA是IBM公司为它的PC/AT电脑而制定的总线标准，也称为AT标准，为16位体系结构，仅支持16位的I/O设备。
由于存在着数据传输速率低、缺乏技术规范、不能支持多处理器系统、不支持自动配置等缺点，因此长期以来一直是困扰系统速度提高的“瓶颈”。
闪速存储器，本质上属于EEPROM——电可擦除只读存储器。
平常情况下Flash ROM与EPROM一样是禁止写入的，在需要时，加入一个较高的电压就可以写入或擦除。
因此，其维护与升级都很方便。
BIOS升级的程序盘一般由主板厂商提供，也可以到Internet网上去下载。
为预防用户误操作删除了Flash BIOS中的内容导致系统瘫痪，一般的主板厂商都在Flash BIOS中固化了一小块启动程序（Boot Block）用于紧急情况下接管系统的启动。
4. spi flash和eeprom
MCU芯片作为应用在车身安全控制领域的关键零部件，考验着公司对CPU、存储、模拟等技术以及对整车的理解，在安全性、可靠性方面需要经验和时间的积累。
BS9000AMXX系列是一款车规级高品质等级的8位通用MCU，该芯片采用S8051 内核，主频最高为24MHZ，基于标准8051指令流水线结构，包含31KB FLASH、2KB SRAM 、1KB EEPROM；通信支持1路IIC、2路UART（其中一路支持Lin2.1协议）、1路SPI、最多达7路PWM；支持BLDC电机控制，最多达24路12位分辨率ADC，最多可支持26个I/O，并集成高可靠性电容检测按键模块，包括TSSOP28、QFN20两种封装形式。
5. 单片机flash和ram的区别
RAM 一般指随机存取存储器。也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。
ROM一般指只读存储器。它以非破坏性读出方式工作，只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来，即使切断电源，信息也不会丢失，所以又称为固定存储器。
flash是美国Macromedia公司（已被Adobe公司收购）所设计的一种二维动画软件。
6. flash和eeprom哪个速度快
DRAM,即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)。
Flash内存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名闪存，是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。
闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是按区块擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快，所以被称为Flash erase EEPROM，或简称为Flash Memory。
7. flash跟eeprom的区别
1、擦写方式不同 FLASH在写新的数据前必须先擦除，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节，换句话说，只能成块的读写，特别是写。 EEPROM写之前不需要擦除，可以每次改写一个字节。当然，也有缺点，EEPROM读写速度慢，另外，容量比较小，也就是说EEPROM要贵。
2、使用情况不同 对单片机来说，关键性的数据，如传感器的标定数据，用户配置参数等，用EEPROM存储，而像文件等大容量的数据记录，或者经常读但很少写的数据，可以用FLASH闪存存储，像图片、字库、文件记录。 除了操作次数相当高外，操作时间也很短，基本上命令发完就完成了读写操作，不需要eeprom的写等待查询。
3、擦写次数不同 eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制。 如果要“无限制”，可以选择FRAM，它虽然读一次和写一次都算一次操作，但操作次数可以到10的12次方级别，基本可以认为是无限。 来源：—EEPROM 来源：—Flash
8. flash eeprom是指
FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。
FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需要修改的数据，所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory。EEPROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Debice，一类是Charge Trapping Debice，这里的分类标准主要是program与crase的机制不同。一：FLASH和EEPROM的区别 1:相同点是两者都能掉电存储数据 2：不同点是： A：FALSH写入时间长，EEPROM写入时间短。B：FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次） 二：单片机的数据存储器不能用FLASH，因为： 1：FLASH有一定的擦除，写入次数，一般的单片机的FLASH擦除写入次数的标称值是10000次。2：FLASH写入数据需要比较长的时间，大约需要4-6ms，而且写FLASH需要加上9V的高压，麻烦。三：至于EEPROM，可以作为数据存储器，但是单片机如atmegal28，一般用RAM作为数据存储器，因为EEPROM工艺复杂，成本高，适合于存储掉电保护的数据，而这类数据往往不需要太多，所以一般的单片机都没在内部集成EEPROM，需要的时候可以让单片机外挂24C01一类的串行EEPROM。区别： 1、 FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作 2、 FLASH写入时间长，EEPROM写入时间短 3、 FLASH擦写次数少（10000次），EEPROM次数多（1000000次） 4、 FLASH的电路结构简单，成本低，EEPROM工艺复杂，成本高9. 单片机的eeprom作用
单片机的存储器可分为程序存储器（ROM）和数据存储器（RAM）。程序存储器是专门用来存放程序和常数的。
数据存储器是程序在运行中存放临时数据的，掉电后数据即丢失，现在有些型号的单片机提供了EEPROM，可用来存储掉电后需要保存的关键数据，如系统的一些设置参数。
10. 数据flash与真正的EEPROM存储器有什么区别
单片机FLASH主要用作程序存贮器,就是替代以前的ROM,最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写,目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大,擦写次数从1000~10万的都有,但存储时间可以保证40年,在选用时要注意.还有一些廉价的单片机为了集成可掉电的数据存储器,没有选用价格昂贵的EEPROM,而用FALSH来做的,但要注意其寿命最多就10万次,而且擦写不能字节擦写,这要注意使用的场合其寿命是否满足要求.
RAM是数据存储器,跟计算机里面的内存差不多,主要是用来存放程序运行中的过程数据,掉电后就会丢失之前的数据,所以程序在上电时需要进行初始化,否则上电后的数据是一个随机数,可能导致程序奔溃.
ROM就是程序存储器,掉电后数据不会丢失,但在程序运行过程中其数据不会改变.早期的单片机的ROM因为擦写修改麻烦,价格昂贵或者价格低廉的OTP型无法修改数据等原因已经被现在的FLASH存储器替代了.因为FLASH的擦写很容易,现在的部分单片机支持在线内部编程,通过特定的程序执行方式可以修改FALSH的内容,而实现在线修改程序存储器.这与上面说的程序存储器的内容在运行的时候不可被改变是不冲突的,因为在程序正常运行时,其内容不会改变,只工作在只读状态下的.
11. flash eeprom是什么意思
你好，FLASH芯片属于存储设备，全名叫Flash EEPROM Memory，通过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。
我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼，准确地说它是非易失随机访问存储器（NVRAM）的俗称，特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。常用的比如U盘，MP3等。闪存也有不同类型，其中主要分为NOR型和NAND型两大类。之所以称为闪存，是因为读写速度很快。
这里要注意区别内存和闪存的概念。所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存主要指DRAM，也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等，也就是常说的手机或电脑的运行内存如4G、6G这个范畴。
所以，任何flash器件的写入操作，只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。
希望我的回答您能满意！
