mos管漏极跟源极相通？

一、mos管漏极跟源极相通？

MOS管是电压驱动，mos管的源极和漏极可以互换，它们在器件构造上是对称的。具体内部结构查看模电书。

n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。

把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。如果在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也就是电子）可以导电。它们从源极S出发，流向漏极D。

二、mos管源极和漏极电压？

一、指代不同

1、源极：简称场效应管。仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动，或驱动比芯片电源电压高的负载。

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区(用P+表示)，就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极(g)，在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

MOS管的定义：我们都在知道场效应管的结构是在一块N型半导体的两边利用杂质扩散出高浓度的P型区域，其用P+表示，形成两个P+N结。

三、mos管漏极和源极区别？

1、源极：简称场效应管。T仅是由多数载流子参与导电，与双极型相反，也称为单极型晶体管。

2、漏极：利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。  

二、原理不同

1、源极：在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P型区（用P+表示），就形成两个不对称的P+N结。把两个P+区并联在一起，引出一个电极，称为栅极（g），在N型半导体的两端各引出一个电极。

2、漏极：将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极。

四、mos管漏极只能输出吗？

是的

漏极开路输出一般情况下都需要外接上拉电阻，才能输出高电平，和集电极开路输出类似，类似的还有漏极开路（Open Drain Output），其是驱动电路的输出MOS管的漏极开路，可以通过外接的上拉电阻提高驱动能力。

对于漏极开路（OD）输出，跟集电极开路输出是十分类似的。将上面的三极管换成场效应管即可。这样集电极就变成了漏极，OC就变成了OD。

五、mos管漏极电容的作用？

这是用来起阻尼作用的！对MOS起保护作用！同时还有均压的作用，可以保证串联的管子的工作电压。实在不行换一个 或者在硬之城上面找找这个型号的资料。

尖峰吸收电路，用来吸收mos管开关瞬间电感产生的高压避免损坏mos管的，同时消耗谐波能量降低辐射。

六、mos管导通的漏极电压？

漏极电压与源极电压相同

普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。

七、mos管漏极没电压能开通嘛？

MOS管有两种一种是不加电压他就导通的，加的电压越高导通越弱，到一定程度就不导通了，这种管子在电路中很少出现的还有一种是不加电是不导通的，加的电压越高电流越大，这种管子在电路中非常常见，

八、MOS管漏极与源极的电压反接有什么用？

MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。

九、mos管的漏极是和散热相连吗？

mOS管漏极和散热相连，源极和栅极用钼丝与电极相接

十、mos管两个漏极连接的作用？

这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。 再具体的，你可以查下MOS管驱动电路的资料