1. mosfet电容模型
结电容会影响mos管的频响特性。
2. mos电容仿真
mos管寄生电容各有好处：
寄生的含义就是本来没有在那个地方设计电容，但由于布线之间总是有互容，互容就好像是寄生在布线之间的一样，所以叫寄生电容，又称杂散电容。
寄生电容本身不是电容，根据电容的原理我们可以知道，电容是由两个极板和绝缘介质构成的，那么寄生电容是无法避免的。比如一个电路有很多电线，电线与电线之间形成的电容叫做寄生电容。寄生电容一般在高频电路中会对电路造成很大影响，所以电路在布线的时候要特殊考虑。
寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。在计算中我们要考虑进去。ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频的情况下我们都要考虑到它们的等效电容值，电感值。
3. 电容器模型
3.5,电压 8 焊点距离 16外形的尺寸电解电容的封装模型为RB系列，例如从“RB-.2/.4”到“RB-.5/.10”，其后缀的第一个数字表示封装模型中两个焊盘间的距离，第二个数字表示电容外形的尺寸，单位为“英寸”。如需更多相关资料，可与allencheng@khttek.com 交流。
4. MOSFET模型
thresholdvoltage阈值电压;阈电压;门限电压;临界电压;网络临阈电压;开启电压;阈值电平;双语例句Aquasi-twodimentionalanalyticalmodelofthresholdvoltagefornon-uniformdopedshortchannelMOSFETispresentedinthispaper.本文提出一个非均匀掺杂、短沟道MOSFET阈电压的准二维解析模型。
5. 电容电路模型
电容元件储存电场能。
"电容元件"是"电路分析"学科中电路模型中除了电阻元件R，电感元件L以外的一个电路基本元件。在线性电路中，电容元件以电容量C表示。元件的"伏安关系"是线性电路分析中除了基尔霍夫定律以外的必要的约束条件。电容元件的伏安关系是 i=C(dv/dt),也就是说，电容元件中的电流，除了电容量C以外，与电阻元件R不同，它不是取决于电压v本身，而是取决于电压对时间的变化率(dv/dt).电压变化愈快，电容中的电流愈大，反之则愈小。据此，在"稳态"情况下，当电压为直流时，电容中电流为零;当电压为正弦波时，电容中电流也是正弦波，但在相位上要超前电压(π/2);当电压为周期性等腰三角形波时，电流为矩形波，如此等等。总的来说，电容中的电流波形比电压变化得更快，含有更多的高频成分。
集总参数电路中与电场有关的物理过程集中在电容元件中进行，电容元件是构成各种电容器的电路模型所必需的一种理想电路元件。
电容元件是一种表征电路元件储存电荷特性的理想元件，其原始模型为由两块金属极板中间用绝缘介质隔开的平板电容器。当在两极板上加上电压后，极板上分别积聚着等量的正负电荷，在两个极板之间产生电场。积聚的电荷愈多，所形成的电场就愈强，电容元件所储存的电场能也就愈大。
其特性曲线是通过坐标原点一条直线的电容元件称为线性电容元件，否则称为非线性电容元件。
线性时不变电容元件的符号与特性曲线如图(c)和(d)所示，它的特性曲线是一条通过原点不随时间变化的直线，其数学表达式为q=Cu。
式中的系数C为常量，与直线的斜率成正比，称为电容，单位是法[拉]，用F表示。
6. mos电容结构图
G-D极可以当电容用，一般几毫欧的MOS容量大概有几nF吧。