1. 整流变压器漏抗
漏抗的公式是2ЛfN1的平方除以Rm所以频率增大时，原，副边的漏抗都增大 励磁阻抗它是随铁心的饱和程度不同而变化 因为漏抗越大说明单位电流通过一次绕组产生的漏磁通越多 所以主磁通相对减小 饱和程度减小 励磁电抗减小
2. 变压器漏抗引起整流器输出电压平均值
可控硅的主要技术参数
1．正向阻断峰值电压（VPFU）
是指在控制极开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值。此电压规定为正向转折电压值的80％。
2．反向阻断峰值电压（VPRU）
它是指在控制极断路和额定结温度下，可以重复加在器件上的反向电压的峰值。此电压规定为最高反向测试电压值的80％。
3．额定正向平均电流（IF）
在环境温度为+40C时，器件导通（标准散热条件）可连续通过工频（即指供电网供给的电源频率．一般为50Hz或60Hz，我国规定为50Hz）正弦半波电流的平均值。
4．正向平均压降（UF）
在规定的条件下，器件通以额定正向平均电流时，在阳极与阴极之间电压降的平均值。
5．维持电流（IH）
在控制极断开时，器件保持导通状态所必需的最小正向电流。
6．控制极触发电流（Ig）
阳极与阴极之间加直流6V电压时，使可控硅完全导通所必需的最小控制极直流电流。
7．控制极触发电压（Ug）
是指从阻断转变为导通状态时控制极上所加的最小直流电压
3. 变压器漏抗对整流电路的影响
IGBT等可控元件组成桥式电路，通过控制可控元件的促发时序就能控制某时段电桥的哪一路能导通，这样就实现了整流。
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
4. 整流变压器漏抗对电路的影响选择题
变压器漏抗和短路电抗不是一样的
二者区别
漏电抗简称漏抗是由漏磁通引起的。在电机的绕组中，通入电流，将产生磁通，根据磁通的路径，可以分为：主磁通和漏磁通两部分。
主磁通的路径主要是铁磁材料，同时与定子和转子两部分绕组交链（穿过），是工作磁通，起能量转换、传递的作用，一般用感应电动势进行描述：E=4.44kfφ。
漏磁通则是只与产生它的绕组交链（只穿过产生它的绕组），漏磁通不起能量转换、传递的作用，只产生自感电动势，引起自感压降。描述漏磁通可以用一个电抗表示，就是漏电抗。
电抗（reactance），用X表示，是一种电子电子元件因为容量或感量展示的对交流电（交流电）的通道的反抗形式。在一些方面，电抗像直流电中的电阻，类似于交流电的电阻。
但是两者现象在重要的方面是不同的，而且他们能独立地改变。电阻和电抗联合形成阻抗，被用二维向量复数的形式定义。
当交流电通过一个包含电抗的元件的时候，能量交替地被储存进和释放出一个磁场或一个电场。如果产生的是磁场，那么此时的电抗是由电感产生，即感抗。
如果产生的是电场，那么此时的电抗是由电容产生，即容抗。感抗被赋值为正虚数。容抗被赋值为负虚数
5. 整流变压器的漏抗对整流电路产生了怎样的影响
它的名字叫二极管接法，但是并不是像二极管一样具有整流特性，它具有的特性只是二极管正向导通时候的样子，就表现出一个小电阻似的小信号特性。原理上来讲，由于漏极和栅极相连，使得一定有Vds>Vgs-Vth，就是说正常情况下它始终都是工作在饱和区的，小信号图懒得画了，具体可以随便找本集成电路基础书籍里都有推导，比如拉扎维的3.2.2，结论是它等效的阻抗为1/gm，这个结论应该是记住的，因为很常用。