一、模拟电子技术中的，三极管，饱和管压降Uces是指什么概念？
简单地说:
1、先算出Ibe，由(Vcc-Vbe)/Ra计算得到;然后，根据放大倍数，得到Ic。
2、由Ic计算Rc上的压降。
3、然后，输入电压减去Rc的压降，如果Vo已经是负数，那么三极管已经饱和，因为不可能出现负电压。也就是说，真实情形下Ic必定低于理论计算值Ic*Rc。
4、三极管饱和之后，Vce的电压一般在0.2V左右，可以在三极管的规格书里查到具体的Vce_sat。如果理论计算得到Vo＞Vce_sat说明三极管处于放大状态。
二、三极管Uces=0意味着什么？
三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和压降 是0.7V
三、三极管中uce怎么求？
uces是三极管集电极与发射极之间的饱和电压，s代表saturation。
uce是三极管集电极与发射极之间的电压。在三极管处于饱和导通的情况下的uce就是uces。U 是电压，CE表示这是C与E间的电压。
此外，三极管的工作状态有三种：截止状态、放大状态、饱和状态。
三极管Uces：饱和状态工作时，发射结和集电结都处于正偏，则导电很好、电流较大，这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量。
四、uces怎么计算？
Uces怎么求？
Uces，即临界饱和电压，不计算，而是三极管的基本参数之一（类似于HFE状态），将在型号规格中介绍。一般来说，低功率晶体管相对较小，为0.6-1v电平，而高功率晶体管约为2-3v。
什么是晶体管的饱和管压降，一般用什么表示？怎么求？
判断三极管状态的最简单方法是查看集电极电位。如果集电极电位大约等于电源电压，它就会被切断。如果它大约等于饱和电压降uces，它就是饱和的。在这两个电压之间是线性放大区。如果接近这两个电压之间的中心位置，线性度就越好。Uces是集电极-发射极饱和压降，是指三极管处于饱和状态时集电极和发射极之间的电压。饱和后，无论基极电流如何变化，电压变化都很小。
三极管饱和电压Uces如何确定？
1. 三极管的饱和电压由实际测试确定。让它流过指定的电流，给定指定的基极电流。2三极管，全称应为半导体三极管，又称双极晶体管、晶体三极管，是一种电流控制半导体器件。它的功能是将微弱的信号放大成较大幅度的电信号，也可用作无触点开关。晶体三极管是半导体的基本元件之一，具有电流放大功能，是电子电路的核心元件。三极管是在半导体衬底上形成两个彼此非常接近的PN结。两个PN结将整个半导体分成三部分。中间部分是基极区，两侧是发射区和集电极区。有两种安排：PNP和NPN。
模拟电子技术中的，三极管，饱和管压降Uces是指什么概念？
从理论上讲，饱和管的电压降是放大区和饱和区的边界。低功率晶体管约为0.7V，高功率晶体管可达2-3v，工程上饱和与放大的界限还很模糊。对于小功率晶体管，当uce=1V时，逐渐进入饱和区。uce越小，饱和度越深。当涉及到uces时，它将完全饱和，但饱和程度可以继续加深。小功率晶体管最高可达uce=0.3V左右。此时，可以说已经深度饱和。Uces在功率放大电路的计算中特别有用。它可以计算功率晶体管本身的管耗，进而计算效率。同时回答问题。uces计算的是放大区的最大基极电流，但对于饱和区，该电流不是最大基极电流。
五、为什么晶体管饱和状态下Uce很低，且Ube＞Uce？
晶体管饱和状态Uce越小，它的开关性能越好
晶体管也叫三极管，有NPN和PNP两种，NPN型三极管由两块N型半导体材料夹住一块P型半导体材料组成，而PNP型三极管则由两块P型半导体材料夹住一块N型半导体材料组成。三极管有三个工作区，分别是截止区、放大区和饱和导通过。三极管工作在截止区和饱和导通，可以用于驱动LED、直流电机、继电器、蜂鸣器等负载的开和关。晶体管在饱和导通状态下Uce越小，说明它的压降越低，自身的发热会更少。
晶体管（三极管）饱和导通分析
我们都知道三极管有一个放大倍数参数β，而Ic=β * Ib，在放大区时，Ic的电流受基极电流Ib控制，当Ib增大到一定阀值后，三极管就会进入饱和导通区后，工作电流Ic不再受Ib控制，它的压降压Uce也不会随着工作电流的增大而升高，集电极(C)和发射极(E)之间相当于开关的导通状态。以NPN三极管为例，饱和导通和载止状态的等效电路如下图，三极管导通时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降Ubes=0.7V(锗管Ubes=-0.3V)，而Uces=Ic*Rces，三极管导通后，饱和电阻Rces是很小的，可以视为短路，所以Uces<Ubes是正常的。Uces越小，它自身的损耗也会越小哦。
晶体管（三极管）驱动电路分析
以NPN型三极管为例，因为三极管饱和导通时BE之间的PN要处于正偏状态（Ube=0.7V），我们把三极管的E极接地，所驱动的负载接在三极管集电极（C）将会更可靠。因为三极管与负载是串联的，通过负载和三极管的电流是相等的。发热损耗=I*I*R，三极管的饱和电阻Rces越小，它的饱和压降压Uces越低，三极管工作时发热量就越低，可以驱动的负载功率就越大哦。
欢迎关注@电子产品设计方案，一起享受分享与学习的乐趣！关注我，成为朋友，一起交流一起学习
记得点赞和评论哦！非常感谢！
六、三极管的伏安特性？
三极管伏安特性是指三极管各极间电流与电压的关系。将三极管的发射极作为公共端，基极与发射极作为输入端、集电极和发射极作为输出端形成共射电路，三极管的共射伏安特性。在截止区，三极管的两个结均处于反向偏置状态。当三极管处于饱和状态时，如果保持基极电流iB的值不变，集电极电流i C会随着uCE的增大迅速增大。
饱和时三极管c与e间的电压记作UCES，称为饱和压降。
七、什么是晶体管的饱和管压降，一般用什么表示？怎么求？
最简单的判断三极管的状态就是看集电极的电位，如果集电极电位约等于电源电压，就是截至的，如果约等于饱和压降Uces，就是饱和的，介于这两个电压之间的就是线性放大区，约接近这两个电压之间的中心位置，线性就越好。
Uces就是集电极-发射极件饱和压降，指的是三极管处于饱和状态时，集电极-发射极之间出现的一个电压，饱和之后，不管基极电流怎么变化，这个电压变化不大。
八、求助：答案中为什么晶体管饱和就能得出Uces=Ube的结论？
请问当三极管刚刚饱和时，就是临界饱和状态，Uce=Ube，管压降Uces，Ubc=0，测量发射机和集电极之间电压当然是Uce咯。不会变的。