1. 二极管失效分析
晶体管工作于大电流临界饱和状态，此时晶体管的功耗已达极限，随着工作时间的延长，晶体管的结温升高，使元器件进入恶性循环，晶体管就会永久失效。
在此种应用电路中，晶体管往往工作在大电流状态，而晶体管的放大，是在一种特定的条件下测的，在晶体管工作在大电流时，放大将会下降。此时如果驱动不足，则晶体管就会工作在放大区，这样，晶体管很快就会因超功耗而失效。严重时，通电后不到1分钟，晶体管就冒烟了。
2. 二极管失效分析感想
二极二极管的导电特性 ：
二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。
二极管的性能：
二极管性能鉴别的最简单方法是用万用表测其正、反向电阻值，阻值相关越大，说明它的单向导电性能越好。
对于检波二极管或锗小功率二极管，使用R×100挡，其正向电阻约为100～1000Ω之间； 对于硅管，约为几百欧姆到几千欧姆之间。
反向电阻，不论是锗管还是硅管，一般都在几百千欧以上，而且硅管比锗管大。
对于小功率二极管一般选用R×100或R×1K挡；中、大功率二极管一般选用R×1或R×10挡。 发光二极管用R×10K测基正、反向阻值，当正向电阻小于50KΩ，反向电阻大于200KΩ时均为正常。 测量时，若二极管的正、反向电阻为无穷大，即表针不动时，说明基内部断路； 反之，若其正反向电阻近似为0Ω时，说明其内部有短路故障； 如果二极管的正、反向电阻值相差太小，说明其性能变坏或失效。
3. 二极管失效机理
IGBT模块失效可分为以下三类：
电气应力
电气应力失效主要由于过压、过流直接导致芯片的损坏，其中常见的电气应力失效如下：
IGBT集电极-发射机过压
IGBT门级-发射极过压
IGBT过电流脉冲
续流二极管（FWD）正向过电流
续流二极管（FWD）过压（短关断脉冲）
IGBT超出反偏安全工作区
由于过大的热损耗直接造成芯片的损坏
由于温度周期导致封装部材料的热疲劳
由于外部环境 导致芯片、封装的直接破坏
4. 二极管失效原因有哪些
二极管断路的原理：二极管是正向导通的，二极管两端加反向电压时，电子不能通过二极管，使得二极管相当于断路，但是这个断路取决于把二极管反向接时，二极管两端的电压，如果这个反向电压足够大，二极管就会被击穿断路。
二极管断路的结果：二极管被断路后，一般不恢复原来的性能，便失效了。产生击穿时加在二极管上的反向电压称为反向击穿电压。
5. 二极管失效分析报告
会的
二极管整流电容滤波电路中，如果整流二极管性接反了，将造成滤波电容被击穿损坏。
这是因为整流滤波电路中，滤波电容都是采用电解电容器，电解电容器本身是有电压极性的，在整流二极管接反后，整流出来的电压，与电解电容器极性相反，会很快造成电解电容器损坏（鼓包、流液），时间长一些，可能造成电解电容器炸裂。