1. 晶体3极管
晶体三级管的三个电极为：集电极c、发射极e、基极b。晶体三极管（以下简称三极管）在电路板中用字母“Q”表示，不同的三极管用“Q+数字”区分。三极管的内部含有两个PN结，分为PNP及NPN两种类型，一般配对使用，因为两者具有互补作用。三极管放大电路有三种，分别为：共基极电路、共射极电路、共集级电路。
讯号放大一般都采用共射极电路，是由于放大电流及电压增益相比其他两个要大。三极管的放大作用是一个电流控制组件决定，而集极电流IC是可以由基极电流IB控制的，所以通过改变细微的基极电流IB就能够让集极电流IC产生很大的变化。
2. 晶体3极管主要特性
等轴晶系（ isometric system）又称“立方晶系”。七个晶系之一，属高级晶族。其对称特点是，必定有四个三次对称轴，同时，不是还有三个相互垂直的四次轴，就是还有3个相互垂直的2次对称轴。此3个4次轴或2次对称轴即选择作为晶体的3个结晶轴，并必定有：轴角α=β=γ=90°，轴单位a=b≠c。
3. 晶体3极管的导通和截止
PNP型半导体晶体二极管，在电路中可有三种不同的状态。
①晶体管处于导通状态，判断晶体管是否导通的依据是，给晶体加正向电压时，它的电阻很小，根据晶体管的不同，加正向电压时正向电阻可由几欧姆到几十欧姆，电阻越小晶体管的性能越好，但不能为零。
②晶体管处于截止状态。
当给晶体管加反向电压时，晶体管的电阻很大，根据晶体管的不同，它的反向电阻可为几十千欧，甚至更大，但也不是无穷大。
③晶体管被击穿或烧毁。
此时给晶体管无论加正向电压还是反向电压，晶体管的电阻均为零(被击穿)或均为无穷大。(晶体管被烧断路)
4. 晶体3极管硅
常温液态
三氯硅烷在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明液体。
在空气中极易燃烧，在-18℃以下也有着火的危险，遇明火则强烈燃烧，燃烧时发出红色火焰和白色烟，生成SiO2．HCl和Cl2： SiHCl3+O2→SiO2+HCl+Cl2；三氯硅烷的蒸气能与空气形成浓度范围很宽的爆炸性混合气，受热时引起猛烈的爆炸。它的热稳定性比二氯硅烷好，在900℃时分解产生氯化物有毒烟雾(HCl)，还生成Cl2和Si。
5. 晶体3极管电极
镁蔷薇辉石是一种晶体属三斜晶系的链状结构硅酸盐矿物，属似辉石矿物。镁蔷薇辉石是化学组成为 (Mn,Ca)(SiO3)、晶体属三斜晶系的链状结构硅酸盐矿物。与三斜锰辉石成同质多象。蔷薇辉石不属于辉石族，而是一种似辉石矿物。CaSiO组分通常不超过20%，Mg、Fe、Zn类质同象代替Mn也较为普遍。
6. 晶体3极管工作原理
半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。
7. 晶体3极管可以短接吗
、使用年久，橡胶导电碳膜阻值大增，用镊子短接此键铜箔后，控制效应正常，则可在导电碳膜上用“双面贴”贴上同面积的香烟箔纸即可。
2、遥控距离变短，其余功能正常。在排除电池电压下降情况下，一般为红外发射管发射能力下降，只能更换。
3、强烈撞击或掉地摔坏，多造成晶振内部断裂。表现为功能全无或指示灯一直亮。放在耳边轻轻摇晃，有轻微撞击声，只须更换晶振。若一时找不到同型号晶振，可用利器把晶振塑壳剥开，多能看到引脚开路，再另制作一引脚即可。
4、晶体频率偏离。乍看一切正常，用中波收音机测听，或电压法检查等很难判断出异样，有时并伴随着其它故障。若无同型号电视机作最终测试，往往会给蒙了。换新晶体即可修复。
8. 晶体3极管发射极基极和什么
晶体三级管的三个电极为：集电极c、发射极e、基极b。
晶体三极管（以下简称三极管）在电路板中用字母“Q”表示，不同的三极管用“Q+数字”区分。三极管的内部含有两个PN结，分为PNP及NPN两种类型，一般配对使用，因为两者具有互补作用。
三极管放大电路有三种，分别为：共基极电路、共射极电路、共集级电路。讯号放大一般都采用共射极电路，是由于放大电流及电压增益相比其他两个要大。三极管的放大作用是一个电流控制组件决定，而集极电流IC是可以由基极电流IB控制的，所以通过改变细微的基极电流IB就能够让集极电流IC产生很大的变化。
9. 晶体3极管发射极基极的题
不一定。
三极管是电流触发的，不是电压触发的，基极和射极的压差随电流状态不同而有所变化。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。