nandflash读写原理？

一、nandflash读写原理？

原理：Nand Flash 控制器通过将 Nand Flash 芯片的内设命令写到其特殊功能寄存器中, 从而实现对 Nand flash 芯片读、检验和编程控制的。特殊功能寄存器有:NFCONF 、 NFCMD 、NFADDR 、NFDATA 、NFSTAT 、NFECC 。 

1.nand 接口 s3c2440 板的 Nand Flash 模块由两部分组成:Nand Flash 控制器(集成在 s3c2440)和 Nand Flash 存储芯片(K9F1208U0B)两大部分组成。当要访问 Nand Flash 中的数据时,必须通过 Nand Flash 控制器发送命令序列才能完成。所以, Nand Flash 相当于 s3c2440 的一个外设, 而不位于它的内存地址区.。 Samsung 的 K9F1208U0B,数据存储容量为 64MB ,采用块页式存储管理。8 个 I/O 引脚 充当数据、地址、命令的复用端口。 2. 重要芯片引脚功能 I/O0-7:复用引脚。可以通过它向 nand flash 芯片输入数据、地址、nand flash 命令 以及输出数据和操作状态信息。 CLE(Command Latch Enable): 命令锁存允许 ALE(Address Lactch Enable): 地址锁存允许 -CE: 芯片选择 -RE: 读允许 -WE: 写允许 -WP: 在写或擦除期间,提供写保护 R/-B: 读/忙输出 3.芯片内部存储布局

二、nandflash是什么？

这个应该是手机/相机/PDA上的说明。。。 NandFlash是一种存储介质。相当于电脑的硬盘。是用来存储东西的。电脑上可存储的东西，在这里也都能存储。 而1GGG8GG是这种存储介质的大小容量。和电脑硬盘的多少G单位是一样的。 这里为什么会有多种选择呢？ 因为同一款手机/相机/PDA在推出时，会考虑不同人的需求。而这种不同配置，相当与PC上硬盘大小的不同配置。有些人喜欢大容量的，有些人感觉小点就够用。 当然，容量越小，价格越便宜。 自己选择时，应考虑自己的实际情况和价格，来选取一个最优的。

三、nandflash 最快读写速度？

NAND闪存的最快读写速度取决于具体的技术和规格。目前，高性能NAND闪存的读取速度可以达到几百兆字节每秒（MB/s），而写入速度通常在几十到一百多兆字节每秒之间。然而，随着技术的不断进步，未来可能会出现更快的NAND闪存，提供更高的读写速度。此外，读写速度还受到设备和接口的限制，如控制器、总线和文件系统等。因此，实际应用中的读写速度可能会有所不同。

四、norflash和nandflash区别？

NOR Flash和NAND Flash都是闪存存储器，但它们之间有几个主要区别：

  1. 结构不同：NOR Flash是一种非易失性存储器，与计算机的内存使用相同的原理。它被用作存储固件、引导加载程序等数据。而NAND Flash也是一种非易失性存储器，但它被广泛用于存储各种类型的数据，例如图像、音频和视频文件。

  2. 速度不同：由于NOR Flash需要频繁地刷新其存储器块，因此它的访问速度相对较慢。而NAND Flash则具有更快的读取速度，因为它是通过在芯片表面进行多次擦除和写入操作来实现数据的存储和删除。

  3. 用途不同：NOR Flash主要用于存储设备的基本输入输出系统(BIOS)固件、引导加载程序等数据。而NAND Flash则广泛应用于各种消费电子产品中，例如智能手机、平板电脑、数码相机等，用于存储用户数据、应用程序和媒体文件。

总之，NOR Flash和NAND Flash虽然都是闪存存储器，但它们的结构、速度和用途都有所不同。

五、如何编写nandflash驱动？

实际上与其他嵌入式系统一样。

给没有操作系统的手机写驱动：查看datasheet，一点一点写吧；

有操作系统的，先学习操作系统提供的API接口，再学习操作系统提供给驱动开发者的接口，然后利用这个接口，添加进去新硬件的参数。

例如：android手机使用linux作为底层（实际大多使用busybox），这样就需要学习linux的kernel中与驱动相关的API、模块如何编写，以及如何合并到kernel中。

如果想跳过linux提供的驱动接口，就需要自己参考kernel提供的各类API，一点一点实现，最终 调用底层API ，与kernel mode交互。

驱动开发完，编译出BIN即可。

如果你连提供的API都不想用，那离自己写个操作系统就不远了。

六、Nandflash和norflash的区别？

nand flash和nor flash的区别如下：

1、开发的公司不同：NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place）。Nand flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

2、存储单元关系的不同：两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。

3、擦除操作的不同：NAND FLASH执行擦除操作是十分简单的，而NOR FLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR FLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND FLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

七、NandFlash和NorFlash的区别？

1、存储架构不同NOR Flash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势，这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100％已知的零件寿命。缺点包括较大的单元尺寸导致每比特的较高成本和较慢的写入和擦除速度。与NOR闪存相比，NAND闪存具有更小的单元尺寸和更高的写入和擦除速度。缺点包括较慢的读取速度和I / O映射类型或间接接口，这更复杂并且不允许随机访问。值得注意的是，NAND Flash中的代码执行是通过将内容映射到RAM来实现的，这与直接从NOR Flash执行代码不同。

2、存储容量不同与NOR闪存相比，NAND闪存的密度要高得多，主要是因为其每比特成本较低。NAND闪存通常具有1Gb至16Gb的容量。NOR闪存的密度范围从64Mb到2Gb。由于NAND Flash具有更高的密度，因此主要用于数据存储应用。

3、擦除/读写不同NAND闪存中的擦除操作非常简单，而在NOR闪存中，每个字节在擦除之前都需要写入“0”。这使得NOR闪存的擦除操作比NAND闪存慢得多。例如，NAND闪存S34ML04G2需要3.5ms才能擦除128KB块，而NOR闪存S70GL02GT则需要约520ms来擦除类似的128KB扇区。

4、能耗不同NOR闪存在初始上电期间通常需要比NAND闪存更多的电流。但是，NOR Flash的待机电流远低于NAND Flash。两个闪存的瞬时有功功率相当。因此，有效功率由存储器活动的持续时间决定。NOR Flash在随机读取方面具有优势，而NAND Flash在擦除，写入和顺序读取操作中消耗的功率相对较低。扩展资料：各自的特点：NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。

八、NANDflash和NORflash的区别？

1、存储架构不同NOR Flash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势，这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100％已知的零件寿命。缺点包括较大的单元尺寸导致每比特的较高成本和较慢的写入和擦除速度。与NOR闪存相比，NAND闪存具有更小的单元尺寸和更高的写入和擦除速度。缺点包括较慢的读取速度和I / O映射类型或间接接口，这更复杂并且不允许随机访问。值得注意的是，NAND Flash中的代码执行是通过将内容映射到RAM来实现的，这与直接从NOR Flash执行代码不同。

2、存储容量不同与NOR闪存相比，NAND闪存的密度要高得多，主要是因为其每比特成本较低。NAND闪存通常具有1Gb至16Gb的容量。NOR闪存的密度范围从64Mb到2Gb。由于NAND Flash具有更高的密度，因此主要用于数据存储应用。

3、擦除/读写不同NAND闪存中的擦除操作非常简单，而在NOR闪存中，每个字节在擦除之前都需要写入“0”。这使得NOR闪存的擦除操作比NAND闪存慢得多。例如，NAND闪存S34ML04G2需要3.5ms才能擦除128KB块，而NOR闪存S70GL02GT则需要约520ms来擦除类似的128KB扇区。

4、能耗不同NOR闪存在初始上电期间通常需要比NAND闪存更多的电流。但是，NOR Flash的待机电流远低于NAND Flash。两个闪存的瞬时有功功率相当。因此，有效功率由存储器活动的持续时间决定。NOR Flash在随机读取方面具有优势，而NAND Flash在擦除，写入和顺序读取操作中消耗的功率相对较低。扩展资料：各自的特点：NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。 

九、NorFlash与NandFlash的区别？

NorFlash和NandFlash是两种不同的闪存存储器，它们的主要区别在于其存储方式和应用场景。

1. 存储方式：

NorFlash采用的是随机访问存储(RAM)方式，也就是说可以像读取内存一样读取数据，读取速度快，但写入速度较慢。而NandFlash采用的是串行存储方式，需要通过控制器进行读取和写入，读取速度较慢，但写入速度较快。

2. 应用场景：

NorFlash通常用于嵌入式系统中的程序代码存储、固件升级等应用场景，因为它可以快速读取代码并执行，但不适合大容量数据存储。而NandFlash则适合大容量数据存储，比如移动存储器、数字相机、MP3等消费电子产品中的存储器。

总的来说，NorFlash适合读取频繁、写入较少的应用场景，而NandFlash则适合大容量数据存储的应用场景。

十、nandflash和norflash的区别？

NandFlash和NorFlash是两种不同的存储器，它们之间有以下区别：1.存储方式：NandFlash以页为单位进行读写操作，而NorFlash以字节为单位进行读写。2.访问速度：NandFlash的随机读取速度相对NorFlash更快，但NorFlash的顺序读取速度更快。3.使用场景：NandFlash通常应用于大容量存储器中，如电子书、便携式音乐播放器等，而NorFlash常用于需要快速启动的设备，如路由器、手机等。综上所述，NandFlash和NorFlash虽然都属于闪存存储器，但它们的读写方式、速度和使用场景不同。